相变存储元件及其制造方法

摘要

一种相变存储元件。相变柱位于第一相变层上，第二相变层位于相变柱上，下电极电连接第一相变层，及上电极电连接第二相变层。

主权项

一种相变存储元件的制造方法，包括：提供第一介电层，其中形成有下电极；形成第一相变层于该第一介电层和该下电极上；形成第一硬式掩模层于该第一相变层上；形成第一图案的光致抗蚀剂于该第一硬式掩模层上；消减该第一图案的光致抗蚀剂的尺寸；以该消减后的第一图案的光致抗蚀剂为掩模，蚀刻该第一硬式掩模层和部分厚度的第一相变层，以形成相变柱于该蚀刻后的第一相变层上；毯覆性地形成第二介电层于该蚀刻后的第一相变层和该第一硬式掩模层上；研磨该第二介电层，停止于该第一硬式掩模层；移除该第一硬式掩模层；形成第二相变层于该相变柱和该第二介电层上；图形化该第一相变层、该第二介电层和该第二相变层；及形成上电极，电连接该第二相变层。