发明名称 |
校正电容性构件的增益的方法以及实现该方法的设备 |
摘要 |
校正电容性构件的增益的方法,所述电容性构件包括能彼此相对移动的电极,该方法包括以下步骤:向电极之一连续施加减小的偏压(10、12),这些偏压具有相反符号和低于阈值的相同值(ε),从而能够测量由这些减小的偏压产生的剩余场;对来自该电容性构件的输出信号(11、13)进行相应测量;计算平均值(14);以及作为所测得的输出信号的函数来对该电容性单元的增益进行校正(19)。 |
申请公布号 |
CN101903779A |
申请公布日期 |
2010.12.01 |
申请号 |
CN200880122223.8 |
申请日期 |
2008.12.19 |
申请人 |
萨甘安全防护公司 |
发明人 |
J-M·卡龙;V·拉戈 |
分类号 |
G01P15/13(2006.01)I;G01C19/56(2006.01)I |
主分类号 |
G01P15/13(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
李玲;张东梅 |
主权项 |
一种校正电容性构件的增益的方法,所述电容性构件包括能彼此相对移动的电极,且在所述电极之间建立起剩余场,所述方法的特征在于包括以下步骤:·向所述电极之一施加值低于阈值的减少的DC偏压(10),从而能够测量由所述减少的偏压产生的剩余场;·测量来自所述电容性构件的输出信号(11);以及·作为所测得的输出信号的函数来计算对所述电容性构件的增益的校正(15)。 |
地址 |
法国巴黎 |