| 发明名称 | 晶圆级芯片尺寸封装及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种功率半导体的晶圆级芯片尺寸封装(wafer level chipscale package；CSP)及制造方法，晶圆级芯片尺寸封装包含源极、栅极与漏极，且所有的源极、栅极与漏极都位于装置的一侧，以便于利用锡膏来安装到印刷电路板(PCB)上。 | ||
| 申请公布号 | CN101904004A | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200980101261.X | 申请日期 | 2009.01.28 |
| 申请人 | 万国半导体有限公司 | 发明人 | 冯涛;弗兰茨娃·赫尔伯特;孙明;何约瑟 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 徐雯琼;张妍 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包含：半导体衬底，其具有第一衬垫与第二衬垫，该第一衬垫与第二衬垫分别电性连接至位于该半导体衬底前面的第一区域与第二区域；第一电极，其电性连接至所述的第一衬垫；第二电极，其电性连接至所述的第二衬垫；以及第三电极，其包含传导层，该传导层位于修整边缘的侧壁并延伸到该半导体衬底的背面，其中该传导层电性连接至位于该半导体衬底背面的第三区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||