| 发明名称 | 通过高压高温烧结提高半导体的赛贝克系数 | ||
| 摘要 | 一种提高半导体的赛贝克系数的方法涉及建立包含在传压介质中的半导体的反应室，将所述反应室暴露于提高的压力和提高的温度下足够长的时间，以提高所述半导体的赛贝克系数；以及回收具有提高的赛贝克系数的所述半导体。 | ||
| 申请公布号 | CN101479862B | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200780023564.5 | 申请日期 | 2007.06.26 |
| 申请人 | 戴蒙得创新股份有限公司 | 发明人 | A-S·马利克 |
| 分类号 | H01L35/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I;B01J3/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L35/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 | 代理人 | 严慎 |
| 主权项 | 一种提高半导体的赛贝克系数的方法，包括：将半导体暴露于1GPa到20GPa的提高的压力和500℃到2500℃的提高的温度下30秒到24小时的时间，以提高所述半导体的赛贝克系数；以及回收具有提高的赛贝克系数的所述半导体。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||