气体处理方法

摘要

本发明提供一种气体处理方法，使用气体处理装置，利用含有NH3气体和H2气体的气体对被处理体(W)进行气体处理，所述气体处理装置具备：收容被处理基板的腔室；配置在腔室内的喷淋头；向腔室内供给含有NH3气体和H2气体的气体的气体供给单元，腔室的覆盖层和喷淋头含有镍(Ni)。通过控制H2/NH3流量比和温度，抑制腔室的覆盖层和喷淋头中含有的镍的反应。

主权项

1.一种气体处理方法，其特征在于，使用气体处理装置，利用含有NH₃气体和H₂气体的气体对被处理基板进行气体处理，所述气体处理装置具备：收容被处理基板的腔室；配置在所述腔室内的腔室内部件；和向所述腔室内供给至少含有NH₃气体和H₂气体的气体的气体供给单元，所述腔室和/或所述腔室内部件的至少与所述含有NH₃气体和H₂气体的气体接触的部分含有镍(Ni)，通过控制H₂/NH₃流量比与所述腔室和/或所述腔室内部件的温度，抑制所述部件的镍的反应，在H₂气体流量：100～2000mL/min(sccm)、NH₃气体流量：100～1000mL/min(sccm)的范围内，在将所述温度设为x，将H₂/NH₃流量比设为y的情况下，在550℃以下的条件下满足下式：y＞-1.80×10^-4x²+2.19×10^-1x-6.20×10¹，其中，所述气体流量是换算成标准状态的值，所述标准状态是温度0℃、气压1atm的状态。