| 摘要 |
1. Структура «кремний на изоляторе» для БиКМОП ИС, содержащая первый и второй кремниевые слои, первый диэлектрический слой и слой силицидов металлов между ними, изолированные вторым диэлектрическим слоем области в кремниевом слое над слоем силицидов металлов, а в изолированных областях над слоем силицидов металлов как биполярные, так и полевые транзисторы, при этом биполярные транзисторы содержат электрод эмиттера из слоя поликристаллического кремния, боковой диэлектрик на стенках электрода, области эмиттера, базы и коллектора, контакты к ним, а также локальные высоколегированные области с типом проводимости коллектора между областью базы под эмиттером и слоем силицидов металлов и между контактом к коллектору и слоем силицидов металлов, обеспечивающие омический контакт к слою силицидов металлов, отличающаяся тем, что над кремниевым слоем, расположенным над слоем силицидов металлов, помещают эпитаксиальный кремниевый слой с типом проводимости, противоположным типу проводимости кремниевого слоя, и слой подзатворного диэлектрика, при этом биполярные транзисторы содержат эпитаксиальный кремниевый слой, являющийся областью базы, кремниевый слой, являющийся областью коллектора, а электрод эмиттера из поликристаллического кремния выполнен частично изолированным от области базы слоем подзатворного диэлектрика, кроме участка электрода, под которыми расположена область эмиттера, а в упомянутых полевых транзисторах, содержащих эпитаксиальный кремниевый и кремниевый слои над слоем силицида металлов, помещены области, определяющие тип проводимости подложки каждого из комплементарной пары полевых тран� |
