Höhere Gleichmäßigkeit einer Kanalhalbleiterlegierung durch Herstellen von STI-Strukturen nach dem Aufwachsprozess

摘要

Bei der Herstellung komplexer Gateelektrodenstrukturen von Transistorelementen unterschiedlicher Art wird die schwellwerteinstellende Kanalhalbleiterlegierung vor dem Herstellen von Isolationsstrukturen erzeugt, wodurch eine bessere Gleichmäßigkeit des schwellwerteinstellenden Materials erreicht wird. Folglich können Schwellwertschwankungen auf lokaler und globaler Ebene von p-Kanaltransistoren deutlich verringert werden.