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Eine Vorrichtung (1) zur Detektion eines Gases oder Gasgemischs hat einen ersten und einen zweiten Gassensor. Der erste Gassensor ist ein MOSFET, der eine erste Source (9), eine erste Drain (8), einen zwischen diesen befindlichen ersten Kanalbereich (10) und eine kapazitiv an den ersten Kanalbereichufweist, die Palladium enthält und mit einer Änderung ihrer Austrittsarbeit auf eine Änderung der Konzentration des zu detektierenden Gases reagiert. Der zweite Gassensor hat in einem Halbleitersubstrat (13, 13') eine zweite Source (16, 16'), eine zweite Drain (15, 15') und zwischen diesen einen zweiten Kanalbereich (17, 17'), der über einen Luftspalt (19, 19') kapazitiv an ein Suspended Gate gekoppelt ist. Dieses weist eine zweite gassensitive Schicht (12) auf, die mit einer Änderung ihrer Austrittsarbeit auf eine Änderung der Konzentration des zu detektierenden Gases reagiert. Die zweite gassensitive Schicht (12) ist an einer Trägerschicht angeordnet und dem Luftspalt (19, 19') zugewandt. Die Trägerschicht ist durch ein weiteres Halbleitersubstrat (6) gebildet und der erste Gassensor ist in die dem Luftspalt (19, 19') abgewandte Vorderseite des zweiten Halbleitersubstrats (13, 13') integriert. |
