| 发明名称 | 使用了氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种场效应晶体管，其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极，源电极和漏电极借助半导体层相连，在栅电极和半导体层之间具有栅绝缘膜，在半导体层的至少1面侧具有保护层，半导体层由以下述(1)～(3)的原子比含有In(铟)元素、Zn(锌)元素及Ga(镓)元素的复合氧化物构成，In/(In+Zn)＝0.2～0.8(1)、In/(In+Ga)＝0.59～0.99(2)、Zn/(Ga+Zn)＝0.29～0.99(3)。 | ||
| 申请公布号 | CN101897031A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200880120246.5 | 申请日期 | 2008.12.10 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 矢野公规;川岛浩和;井上一吉;笘井重和;笠见雅司 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，其在基板上至少具有半导体层、半导体层的保护层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极，所述源电极和漏电极借助半导体层相连，在所述栅电极与所述半导体层之间具有栅绝缘膜，在所述半导体层的至少一面侧具有保护层，所述半导体层由以下述(1)～(3)的原子比含有In元素、Zn元素及Ga元素的复合氧化物构成，In/(In+Zn)＝0.2～0.8(1)In/(In+Ga)＝0.59～0.99(2)Zn/(Ga+Zn)＝0.29～0.99(3)。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||