| 发明名称 | TFT阵列结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种TFT阵列结构及其制造方法，所述TFT阵列结构包括：基板；形成于所述基板上的栅极线和公共电极；与所述栅极线相交的数据线；形成于所述公共电极和所述基板上的绝缘层；形成于所述栅极线与所述数据线交点处的TFT，其中，所述TFT包括：与所述栅极线一体的栅极；依次形成于所述栅极上的栅绝缘层和半导体层；漏极和与所述数据线一体的源极；其中两条数据线与所述栅极线交点之间的栅极线上的半导体层至少被部分刻蚀掉，使得所述两条数据线的电压信号不同时，不会有电流在所述两条数据线之间流动。本发明可降低TFT阵列结构的制造成本，并解决了数据线之间的串扰和失真的问题，有利于成品率的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101894845A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200910057302.1 | 申请日期 | 2009.05.22 |
| 申请人 | 上海天马微电子有限公司 | 发明人 | 袁剑峰;赵本刚 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种TFT阵列结构，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的栅极线和公共电极；与所述栅极线相交的数据线；形成于所述公共电极和所述基板上的绝缘层；形成于所述栅极线与所述数据线交点处的TFT，其中，所述TFT包括：与所述栅极线一体的栅极；依次形成于所述栅极上的栅绝缘层和半导体层；漏极和与所述数据线一体的源极；其中，两条数据线与所述栅极线交点之间的栅极线上的半导体层至少被部分刻蚀掉，使得所述两条数据线的电压信号不同时，不会有电流在所述两条数据线之间流动。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区汇庆路889号 | ||