| 发明名称 | 铜填充方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种短时间内在存在于基板上、具有5以上的纵横比(深度/孔直径)、且经过了导电处理的非贯穿孔中填充铜的方法，该方法包括使用酸性镀铜浴和通过周期性电流反转镀铜在非贯穿孔中填充铜，该酸性镀铜浴含有水溶性铜盐、硫酸、氯离子、增亮剂和二烯丙基胺与二氧化硫的共聚物。 | ||
| 申请公布号 | CN101892501A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN201010183443.0 | 申请日期 | 2010.05.18 |
| 申请人 | 公立大学法人大阪府立大学;日东纺织株式会社 | 发明人 | 近藤和夫;齐藤丈靖;冈本尚树;文屋胜;竹内实 |
| 分类号 | C25D3/38(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 熊玉兰;高旭轶 |
| 主权项 | 1.填充铜的方法，该方法是在存在于基板上、具有5以上的纵横比(深度/孔直径)、且经过了导电处理的非贯穿孔中填充铜的方法，该方法包括用酸性镀铜浴进行周期性电流反转镀铜以在非贯穿孔中填充铜，该酸性镀铜浴含有水溶性铜盐、硫酸、氯离子、增亮剂和二烯丙基胺与二氧化硫的共聚物，该共聚物含有下述通式(1)所示的二烯丙基胺结构单元：<img file="FSA00000123992100011.GIF" wi="887" he="439" />其中各个R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>独立地为氢原子或具有1个或2个碳原子的烷基，X<sup>-</sup>为反荷离子；和下式(II)所示的二氧化硫结构单元：<img file="FSA00000123992100012.GIF" wi="837" he="242" /> | ||
| 地址 | 日本大阪府堺市 | ||