一种小功率场效应晶体管封装结构

摘要

一种小功率场效应晶体管封装结构，由器件芯柱、管帽(1)和器件内部芯片(2)所组成。芯片(2)安放在器件芯柱上方，芯片的栅极与器件芯柱上方“η”型烧结引线形成的小岛面烧接相连，芯片的源极和漏极分别与器件芯柱上方的烧结引线相连，管帽包裹芯片和器件芯柱，留出连接芯片的“η”型烧结引线(4)和连接内引线的烧结引线(5)。所述器件芯柱包括芯柱底盘(6)、用于绝缘的玻璃坯(7)、用于安装芯片的“η”型烧结引线(4)和用于连接内引线的烧结引线(5)，整个器件芯柱需要将芯柱底盘(6)、玻璃坯(7)和烧结引线(5)在高温条件下使其融合形成一个整体。本实用新型适用于小功率场效应晶体管的批量化生产，也适用于类似结构的半导体器件。

主权项

一种小功率场效应晶体管封装结构，其特征在于，所述封装结构由器件芯柱、管帽(1)和器件内部芯片(2)所组成；芯片(2)安放在器件芯柱上方，芯片的栅极与器件芯柱上方“η”型烧结引线形成的小岛面烧接相连，芯片的源极和漏极分别与器件芯柱上方的烧结引线相连，管帽(1)包裹芯片(2)和器件芯柱，留出连接芯片的“η”型烧结引线(4)和连接内引线的烧结引线(5)。