| 发明名称 | 电子集电极及其在光电伏打中的应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电子集电极及其在光电器件中的应用。光电池(10)和光电池(10)的制造方法。示例的光电池(10)可包括电子导体(14)、空穴导体(22)和位于它们之间的激活区(20)。电子导体(14)可包括纳米丝阵列(16)和设置在纳米丝阵列(16)之上的壳层(18)。纳米丝阵列(16)可包括电子迁移率大于壳层(18)的电子迁移率的材料。壳层(18)的状态密度大于纳米丝阵列(16)的状态密度。 | ||
| 申请公布号 | CN101894914A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN201010203293.5 | 申请日期 | 2010.04.29 |
| 申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | 郑直;H·唐;M·王;L·赵;X·刘 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 周铁;艾尼瓦尔 |
| 主权项 | 光电池(10)，其包括：电子导体(14)，该电子导体(14)包括纳米丝阵列(16)和设置在纳米丝阵列(16)上的壳层(18)；其中纳米丝阵列(16)包括电子迁移率大于30cm2/V/s的材料，壳层(18)包括状态密度高于纳米丝阵列(16)的材料的状态密度的材料；空穴导体(22)；和激活区(20)，其设置在电子导体(14)和空穴导体(22)之间。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||