| 发明名称 | p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法。材料分子结构式为Zn1-x-yTMyNaxO，Tm代表过渡金属元素Co、Ni、Mn等，x＝0-10％，y＝0-20％。方法：将醋酸锌、醋酸钠和过渡金属盐作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，并加入乙醇胺作为稳定剂，搅拌后形成稳定的溶胶。将溶胶烘干、热处理后得到粉末样品，或者将溶胶以旋涂的方法在预先清洗的Si片或其他衬底(石英玻璃，蓝宝石，SiC等)上均匀覆涂，烘干、热处理后，得到薄膜样品。溶胶-凝胶法制备材料具有技术简单，低耗费且易于获得大面积薄膜等优点，在制得室温铁磁性ZnO基稀磁半导体的基础上，成功引入Na离子得到p型掺杂，使磁性能得到提高，并通过调节Na离子的浓度控制磁性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101183595B | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200710160237.6 | 申请日期 | 2007.12.14 |
| 申请人 | 浙江大学;横店集团东磁股份有限公司 | 发明人 | 严密;顾浩;马天宇;罗伟 |
| 分类号 | H01F10/193(2006.01)I;H01F1/40(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I;C01G9/02(2006.01)I;C23C18/00(2006.01)I;H01L29/22(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01F10/193(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 张法高 |
| 主权项 | 一种p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料，其特征在于分子结构式为Zn1-x-yTMyNaxO，TM代表过渡金属元素Co、Ni、Mn，0＜x≤10％，y＝0-20％。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市浙大路38号 | ||