发明名称 |
高度有序的二氧化钛纳米管阵列 |
摘要 |
公开了长度超过10μm、且纵横比为10,000的自定向密闭组装的氧化钛纳米管阵列的制作,其方法包括钛的恒电势阳极化。还公开了实现Ti箔样品完全阳极化和绝对可定制性的条件,得到了机械上可靠的超过1000μm的氧化钛自立膜。 |
申请公布号 |
CN101896643A |
申请公布日期 |
2010.11.24 |
申请号 |
CN200880108226.6 |
申请日期 |
2008.07.25 |
申请人 |
宾州研究基金会 |
发明人 |
M·波罗斯;K·尚卡尔;H·普卡萨姆;S·寄谷;O·K·瓦尔盖斯;C·A·格里梅斯 |
分类号 |
C23C28/00(2006.01)I;C25D5/00(2006.01)I;C01G23/04(2006.01)I |
主分类号 |
C23C28/00(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
过晓东 |
主权项 |
一种使用电化学氧化形成垂直取向的二氧化钛纳米管阵列的方法,该方法包括:提供具有工作电极和对电极的双电极构造;以及在电解质中阳极化所述工作电极,所述电解质已优化为在生长过程和溶解过程之间保持动态平衡,以通过提供工作电极的持续化学氧化、以及通过所形成氧化物的溶解的孔生长,来促进纳米管阵列的生长。 |
地址 |
美国宾夕法尼亚州 |