发明名称 |
制造多层三维器件或结构方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制造多层三维器件或结构(例如微器件或微结构)方法。此方法通过制造并连接多个独立结构层而形成一个所需的多层三维器件或结构。每一个独立结构层包含至少一种结构材料并形成一种所需的图形。结构材料例子包括金属,半导体和非金属。至少有一个独立结构层包含至少二个互不接触的由结构材料形成的特征结构并且这些互不接触的特征结构借由至少一种牺牲材料结合在一起而形成一个一体的结构层。牺牲材料可在部分和或全部独立结构层被连接在一起后部分或全部去除。本发明也公开了制造所需独立结构层方法。 |
申请公布号 |
CN101891143A |
申请公布日期 |
2010.11.24 |
申请号 |
CN200910039521.7 |
申请日期 |
2009.05.18 |
申请人 |
张刚 |
发明人 |
张刚 |
分类号 |
B81C3/00(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C3/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种制造多层三维器件或结构的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:(1)制造两个或更多互不连接的独立结构层,其中每一个结构层包含至少一种结构材料,每一结构层的结构材料在该层形成一个或更多特征结构并形成一种所需的图形,每一结构层的特征结构为所要制造的多层三维器件或结构的一部分,至少有一个结构层包含至少二个互不接触的特征结构并且这些互不接触的特征结构籍由至少一种牺牲材料所结合在一起而形成一个一体的结构层;(2)按所需的层序和层与层之间的方位连接至少所制造的上述独立结构层而形成一个一体的多层三维器件或结构;(3)如果需要,在上述独立结构层的连接过程中和或连接完成后,去除至少一种牺牲材料的部分或全部。 |
地址 |
510620 广东省广州市天河区体育东路13号403室 |