发明名称 二维固体摄像器件
摘要 本发明提供一种二维固体摄像器件,包括以二维矩阵状布置的像素区,各像素区具有多个亚像素区,具有开口尺寸小于入射电磁波波长的开口部的金属层和光电转换元件被设置成在它们之间夹有绝缘膜,在设置于各亚像素区中的金属层的一部分处的开口部中布置有至少一个光电转换元件,开口部的投影图像被包含在光电转换元件的光接收区内,开口部被排列成使基于由入射电磁波激发的表面等离子体激元的共振状态产生,并且在共振状态下在开口部附近产生的近场光由光电转换元件转换成电信号。因此,能够减小光电转换元件的开口面积,增加每单位面积的像素数,实现光电转换元件的多功能化,还能够实现信号布线等的设计自由度的增加。
申请公布号 CN101894849A 申请公布日期 2010.11.24
申请号 CN201010169827.7 申请日期 2010.05.12
申请人 索尼公司 发明人 横川创造
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人 冯丽欣;武玉琴
主权项 一种二维固体摄像器件,所述二维固体摄像器件包括以二维矩阵状布置的像素区,其中,各所述像素区具有多个亚像素区,金属层和光电转换元件被设置成在它们之间夹有绝缘膜,所述金属层具有开口尺寸小于入射电磁波波长的开口部,在设置于各所述亚像素区中的所述金属层的一部分处的所述开口部中布置有至少一个所述光电转换元件,所述开口部的投影图像被包含在所述光电转换元件的光接收区内,所述开口部被排列成使基于由所述入射电磁波激发的表面等离子体激元的共振状态产生,并且在所述共振状态下在所述开口部附近产生的近场光由所述光电转换元件转换成电信号。
地址 日本东京