| 发明名称 |
钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法，本发明的高居里点无铅压电陶瓷，其通式由(1-x)K0.5Na0.5Nb1-ySbyO3-xK3Li2Nb5O15表示，式中0＜x≤0.10，0≤y≤0.10。本发明的材料能使用普通的碳酸盐或者氧化物原料，采用常规的陶瓷工艺制备而成。本发明制备的陶瓷具备非常高的居里温度及较好的压电性能，并且此配方不含铅，是一种环境友好的材料。 |
| 申请公布号 |
CN101891472A |
申请公布日期 |
2010.11.24 |
| 申请号 |
CN200910051651.2 |
申请日期 |
2009.05.21 |
| 申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
曾江涛;李国荣;郑嘹赢;张望重;张阳红;殷庆瑞 |
| 分类号 |
C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/495(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷，其特征是由通式(1‑x)K0.5Na0.5Nb1‑ySbyO3‑xK3Li2Nb5O15，式中x，y，z表示组成元素的摩尔数，其数值选择范围为0＜x≤0.1，0≤y≤0.1。 |
| 地址 |
200050 上海市定西路1295号 |
