| 发明名称 | 确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法和改善残像的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法和改善残像的方法，包括：建立光电二极管耗尽区的电路模型；对所述电路模型进行仿真，获得所述电路模型的仿真RC时间常数；将所述仿真RC时间常数作为光电二极管耗尽区的真实RC时间常数。所述真实RC时间常数可以用于优化复位晶体管的复位脉冲时间宽度和传输晶体管的传输脉冲宽度，改善CMOS图像传感器的残像。 | ||
| 申请公布号 | CN101894195A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN201010249476.0 | 申请日期 | 2010.08.02 |
| 申请人 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 发明人 | 余泳 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法，其特征在于，包括：建立光电二极管耗尽区的电路模型；对所述电路模型进行仿真，获得所述电路模型的仿真RC时间常数；将所述仿真RC时间常数作为光电二极管耗尽区的真实RC时间常数。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省昆山市开发区伟业路18号现代广场A座508-511室 | ||