发明名称 光学薄膜及其形成方法
摘要
申请公布号 TWI333559 申请公布日期 2010.11.21
申请号 TW096115073 申请日期 2007.04.27
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 庄文斌 新竹市光复路2段101号 清华大学化工所;沈永清
分类号 G02B1/10 主分类号 G02B1/10
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 一种光学薄膜,包括:一基底;一叠层,在该基底上,该叠层系由至少一第一材料层及至少一第二材料层交替堆叠,其中该第一材料层具有一第一折射率,该第二材料层具有一第二折射率,该第一折射率不等于该第二折射率;以及一硬质涂膜,在该基底与该叠层之间,该硬质涂膜的组成物包括:(A)含有多官能甲基丙烯酸酯(polyfunctional methacrylate)之感光树脂;(B)反应型无机填料,由(i)烷氧基矽烷(alkoxysilane)与(ii)奈米无机粉体反应而成;(C)添加剂;以及(D)光起始剂。如申请专利范围第1项所述之光学薄膜,其中该叠层系由复数个第一材料层及复数个第二材料层交替堆叠。如申请专利范围第1项所述之光学薄膜,其中该第一材料层及该第二材料层包括金属氧化物。如申请专利范围第1项所述之光学薄膜,其中该第一折射率约介于2.2至2.5之间。如申请专利范围第1项所述之光学薄膜,其中该第二折射率约介于1.4至1.8之间。如申请专利范围第1项所述之光学薄膜,其中该第一折射率大于该第二折射率。如申请专利范围第6项所述之光学薄膜,其中该第一材料层包括Nb2O5、Bi2O3、CeO2、Cr2O3或TiO2。如申请专利范围第6项所述之光学薄膜,其中该第二材料层包括SiO2、Al2O3、Ge2O3、Y2O3或MgO。如申请专利范围第6项所述之光学薄膜,其中该第一材料层的厚度约介于20奈米至70奈米之间。如申请专利范围第6项所述之光学薄膜,其中该第一材料层的厚度约介于30奈米至150奈米之间。如申请专利范围第1项所述之光学薄膜,其中该第一材料层及该第二材料层系以双极直流式脉冲溅镀法形成。如申请专利范围第1项所述之光学薄膜,其中该基底为透明基底。如申请专利范围第1项所述之光学薄膜,其中该基底包括玻璃基底、塑胶基底或可挠曲基底。一种光学薄膜的形成方法,包括:提供一基底;在该基底上形成一叠层,该叠层系由至少一第一材料层及至少一第二材料层交替堆叠,其中该第一材料层具有一第一折射率,该第二材料层具有一第二折射率,该第一折射率不等于该第二折射率;以及在该基底与该叠层之间形成一硬质涂膜,该硬质涂膜的组成物包括:(A)含有多官能甲基丙烯酸酯(polyfunctional methacrylate)之感光树脂;(B)反应型无机填料,由(i)烷氧基矽烷(alkoxysilane)与(ii)奈米无机粉体反应而成;(C)添加剂;以及(D)光起始剂。如申请专利范围第14项所述之光学薄膜的形成方法,其中该叠层系由复数个第一材料层及复数个第二材料层交替堆叠。如申请专利范围第14项所述之光学薄膜的形成方法,其中该第一材料层及该第二材料层包括金属氧化物。如申请专利范围第14项所述之光学薄膜的形成方法,其中该第一折射率约介于2.2至2.5之间。如申请专利范围第14项所述之光学薄膜的形成方法,其中该第二折射率约介于1.4至1.8之间。如申请专利范围第14项所述之光学薄膜的形成方法,其中该第一折射率大于该第二折射率。如申请专利范围第19项所述之光学薄膜的形成方法,其中该第一材料层包括Nb2O5、Bi2O3、CeO2、Cr2O3或TiO2。如申请专利范围第19项所述之光学薄膜的形成方法,其中该第二材料层包括SiO2、Al2O3、Ge2O3、Y2O3或MgO。如申请专利范围第19项所述之光学薄膜的形成方法,其中该第一材料层的厚度约介于20奈米至70奈米之间。如申请专利范围第19项所述之光学薄膜的形成方法,其中该第一材料层的厚度约介于30奈米至150奈米之间。如申请专利范围第14项所述之光学薄膜的形成方法,其中该第一材料层及该第二材料层系以双极直流式脉冲溅镀法形成。如申请专利范围第14项所述之光学薄膜的形成方法,其中该基底为透明基底。如申请专利范围第14项所述之光学薄膜的形成方法,其中该基底包括玻璃基底、塑胶基底或可挠曲基底。如申请专利范围第14项所述之光学薄膜的形成方法,其中该硬质涂膜系经光照固化而形成。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号