发明名称 介电体膜及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI333662 申请公布日期 2010.11.21
申请号 TW095131665 申请日期 2006.08.29
申请人 TDK股份有限公司 发明人 宫本由纪;斋田仁
分类号 H01G4/10 主分类号 H01G4/10
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种介电体膜之制造方法,其具有藉由加热形成于金属层上之前驱物层,形成介电体膜的煅烧步骤,且上述金属层含有选自由Cu、Ni、Al、不锈钢及英高镍组成之群的至少一种金属,于上述煅烧步骤的至少一部分中,于减压环境下加热前驱物层。如请求项1之介电体膜之制造方法,其中,上述煅烧步骤包括:将前驱物层加热至300~500℃的预煅烧步骤;及将上述预煅烧步骤后的前驱物层加热至400~1200℃,形成上述介电体膜的正式煅烧步骤,于上述预煅烧步骤以及上述正式煅烧步骤中的至少一个步骤中,于减压环境下加热前驱物层。如请求项1之介电体膜之制造方法,其中,于上述煅烧步骤的至少一部分中,于形成压力成为200 Pa以下的减压环境下加热前驱物层。如请求项1之介电体膜之制造方法,其中,上述金属层包含Cu,于上述煅烧步骤的至少一部分中,于形成压力成为0.01 Pa以上100 Pa以下的减压环境下,加热前驱物层。如请求项1之介电体膜之制造方法,其中,上述金属层包含Ni,于上述煅烧步骤的至少一部分中,于形成压力成为0.001 Pa以上10 Pa以下的减压环境下,加热前驱物层。一种介电体膜,其藉由请求项1~5中任一项之介电体膜之制造方法而获得。
地址 日本
您可能感兴趣的专利