| 主权项 |
一种参考电压产生器，包括：一能隙(bandgap)参考电路，包括；一电流产生器，用以输出一参考电流；及一第一双载子接面电晶体(BJT)，该参考电流系透过一第一电阻流入其射极，其集极与其基极系接地，使得一能隙参考电压得以于该电流产生器与该第一电阻间输出，且使得一第一偏压电压得以于该第一双载子接面电晶体之射极端输出；一位准移位电路，用以耦接至该能隙参考电路，并输出高于该第一偏压电压且不等于该能隙参考电压之一第二偏压电压；以及一分压器，用以耦接于该第二偏压电压与该能隙参考电压之间，并输出其间之一参考电压。如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器，其中该位准移位电路更包括：一第二双载子接面电晶体，其基极系接收该第一偏压电压，其集极系接地，以于其射极输出高于该第一偏压电压之一内部电压；以及一第二电阻，用以于其一端接收该内部电压，于其另一端输出该第二偏压电压。如申请专利范围第2项所述之参考电压产生器，其中，该第二偏压电压系为该能隙参考电压之两倍高。如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器，其中，该位准移位电路更包括：一第二双载子接面电晶体，其基极接收该第一偏压电压，其集极接地，以于其射极输出高于该第一偏压电压之一第一内部电压；一第三双载子接面电晶体，其基极接收该第一内部电压，其集极接地，以于其射极输出高于该第一内部电压之一第二内部电压；以及一第二电阻，用以于其一端接收该第二内部电压，并于其另一端输出该第二偏压电压。如申请专利范围第4项所述之参考电压产生器，其中，该第二偏压电压系为该能隙参考电压之三倍高。如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器，其中，该分压器系为高阻抗之电阻串。如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器，其中，该分压器系为高阻抗之可变电阻。如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器，其中，该电流产生器系为一与绝对温度成比例(Proportional to absolute temperature，PTAT)之电流产生器。如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器，其中，该第二偏压电压系为该能隙参考电压之N倍高，使得该参考电压系为与绝对温度成比例之参考电压，其中N为一正整数。 |
