| 主权项 |
一种蚀刻方法，在形成含有由CVD法所形成之矽氧化膜之两种类以上的矽氧化膜群之基板中，仅蚀刻特定的矽氧化膜，其特征为：具有：变质工程，对上述基板表面供给含有氟化氢气及氨气之混合气体，使上述特定的矽氧化膜和上述混合气体予以化学反应，并使上述特定的矽氧化膜予以变质而生成反应生成物；和加热工程，加热上述反应生成物而予以除去，在上述变质工程中，因应上述矽氧化膜群之组合，调节上述基板之温度，及上述混合气体中之氟化氢气之分压。如申请专利范围第1项所记载之蚀刻方法，其中，在上述变质工程中，将上述矽氧化膜之温度设为35℃以上。如申请专利范围第1项所记载之蚀刻方法，其中，在上述变质工程中，将上述混合气体中之上述氟化氢气之分压设为15mTorr以上。如申请专利范围第1项所记载之蚀刻方法，其中，在上述变质工程中，将上述混合气体中之上述氨气之分压设为比上述氟化氢气之分压小。如申请专利范围第1项所记载之蚀刻方法，其中，上述反应生成物之蚀刻量为30奈米以上。如申请专利范围第1项所记载之蚀刻方法，其中，上述矽氧化膜是藉由CVD法而形成。如申请专利范围第1项所记载之蚀刻方法，其中，上述矽氧化膜为BPSG膜或是使用偏压高密度电浆CVD法而形成之矽氧化膜。一种记录媒体，记录有可藉由处理系统之控制部而实行之程式，其特征为：上述程式是藉由上述控制电脑实行，依此使上述处理系统执行申请专利范围第1项所记载之蚀刻方法。 |
