发明名称 快速存取堆叠记忆体之方法及系统
摘要
申请公布号 TWI333616 申请公布日期 2010.11.21
申请号 TW093132276 申请日期 2004.10.22
申请人 微晶片科技公司 发明人 约夏M 康纳;詹姆斯H 葛洛斯巴哈;约瑟夫W 崔西
分类号 G06F12/04 主分类号 G06F12/04
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种用以利用一第一定址模式以将一文字位移值模式编入索引的系统,该系统包含:一或多个随机存取记忆体库;一库选定暂存器,用以选定该一或多个随机存取记忆体库之其中一个,该一或多个随机存取记忆体库进一步包含一存取局部;一或多个指令,具有在该一或多个随机存取记忆体库中之一或多个位址,其中该一或多个指令中具有一存取位元;及一堆叠指标,其位于该一或多个随机存取记忆体库中;其中,当在一第一定址模式下且该存取位元经设定时,该堆叠指标利用经储存于该一或多个随机存取记忆体库之该存取局部内的一位址,在一文字位移值定址模式期间,将该位址作为一位移值。如请求项1之系统,其中经储存于该一或多个随机存取记忆体库之该存取局部内的该位址系该堆叠指标内之一位址的一文字位移值。如请求项1之系统,其中该存取位元被设定为「1」。如请求项1之系统,其中该存取位元被设定为「0」。如请求项1之系统,其中该第一定址模式为一直接短定址模式。如请求项1之系统,其中该第一定址模式为一直接强制定址模式。一种用以快速存取堆叠记忆体的方法,该方法包含:决定一存取位元是否在一或多个指令中经设定;如该存取位元未经设定,则选定一第一定址模式;如该存取位元既经设定,则:将该一或多个指令予以解码以获得一位址;决定该位址是否大于一预先设定值;如该位址大于该预先设定值,则选定一第二定址模式,否则选定一第三定址模式。如请求项7之方法,其中该第一定址模式为一直接短式定址模式。如请求项7之方法,其中该第二定址模式为一直接强制定址模式。如请求项7之方法,其中该第三定址模式为一经编入索引之文字位移值定址模式。
地址 美国