| 摘要 |
La présente invention concerne un système laser à électron libres, comprenant un moyen (2) de génération d'un paquet (20) d'électrons relativistes (21) apte à se propager suivant une direction de propagation (Oz) et un moyen (3,3") de génération d'un faisceau onduleur (30) apte à interagir avec le paquet (20) d'électrons relativistes (21). Dans ce système, le faisceau onduleur (30) est issu de la superposition, au niveau d'une zone d'interaction (4) traversée par la direction de propagation (Oz) du paquet (20), d'au moins deux faisceaux laser (31,32) se propageant dans des directions différentes les unes des autres et différentes de la direction de propagation (Oz) du paquet (20). La présente invention concerne également un procédé de génération d'un faisceau laser (5) à électrons libres, ainsi qu'un procédé de piégeage et de guidage d'un paquet (20) d'électrons relativistes (21) injectés dans une zone d'interaction (4), ces deux procédés mettant en oeuvre un tel système laser à électron libres. |
