| 发明名称 | 绝缘栅型双极晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种绝缘栅型双极晶体管及其制作方法，涉及半导体器件，用以缓解IGBT中寄生电阻引起latch up效应的问题。本发明实施例提供的绝缘栅型双极晶体管，包括N衬底、P型体区以及多晶硅；在所述P型体区的P-区内注有P+层，且所述P+层扩散不到所述多晶硅的覆盖区域。本发明实施例提供的制作方法，包括：在多晶硅刻蚀完成后，进行P-离子注入；在绝缘栅型双极晶体管的表面沉积一层氧化物；用干法刻蚀所述氧化物层，在多晶硅的边缘处形成侧壁；进行P+离子注入；进行杂质推进，使P-离子扩散到多晶硅的下方。本发明实施例中的方法适用于各种存在寄生电阻引起latch up问题的IGBT器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101887912A | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200910050993.2 | 申请日期 | 2009.05.12 |
| 申请人 | 商海涵 | 发明人 | 商海涵 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种绝缘栅型双极晶体管，包括N衬底、P型体区以及多晶硅，其特征在于，在所述P型体区的P-区内注有P+层，且所述P+层扩散不到所述多晶硅的覆盖区域。 | ||
| 地址 | 200060 上海市普陀区西康路1281弄247号 | ||