凹入式沟道晶体管结构

摘要

一种凹入式沟道晶体管结构，包含一半导体基底；一沟槽绝缘区域，设于该半导体基底中，并定义出一有源区域；一栅极沟槽，设于该有源区域中，该栅极沟槽包含一垂直侧壁部分及一球型底部；一凹入式栅极，设于该栅极沟槽中，该凹入式栅极包含一球型栅极下部，位于该球型底部；一栅极氧化层，位于该球型底部；一源极掺杂区，位于该凹入式栅极一侧的该有源区域中；一漏极掺杂区，位于该凹入式栅极另一侧的该有源区域中；以及一沟道区域，介于该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间，其中该沟道区域从一栅极沟道宽度方向来看，为一上凸的曲面轮廓。

主权项

一种凹入式沟道晶体管结构，包含有：半导体基底；沟槽绝缘区域，设于该半导体基底中，并定义出有源区域；栅极沟槽，设于该有源区域中，其中该栅极沟槽包含垂直侧壁部分以及球型底部；凹入式栅极，设于该栅极沟槽中，且该凹入式栅极包含球型栅极下部，位于该球型底部；栅极氧化层，位于该球型底部，介于该半导体基底与该球型栅极下部之间；源极掺杂区，位于该凹入式栅极一侧的该有源区域中；漏极掺杂区，位于该凹入式栅极另一侧的该有源区域中；以及沟道区域，介于该源极掺杂区与该漏极掺杂区之间，其中该沟道区域从栅极沟道宽度方向来看，为上凸的曲面轮廓。