用于表面增强红外光谱中硅上化学镀钯的方法

摘要

本发明属于表面增强红外光谱技术领域，具体为一种用于表面增强红外光谱中硅上化学镀钯的方法。该方法是在含Pd盐的氢氟酸溶液中，在硅表面生长Pd晶种作为催化剂，进而在Pd化学镀镀液中制备Pd膜电极。本发明方法简单易行，Pd膜电极可以较长时间稳定使用，与硅基底的粘附力强。

主权项

一种用于表面增强红外光谱中硅上化学镀钯的方法，其特征在于具体步骤如下：首先对硅表面进行抛光和清洗处理，然后在含40％氟化铵溶液中进行刻蚀1-3分钟；将经过刻蚀处理的硅浸入含Pd盐的氢氟酸溶液中生长Pd晶种，生长温度15-25℃，生长时间2-4分钟；最后在以水合肼为还原剂的化学镀溶液中化学镀Pd膜；所述化学镀溶液由A、B两种组成，其中镀液A组分为：0.01-0.02M盐酸，0.02-0.04M氯化钯，0.15-0.4M无水乙二胺；镀液B组分为：2-4M氨水，0.1-0.3M水合肼；两种镀液以体积比VA∶VB＝1∶2混合，化学镀温度为30-50℃，化学镀时间为10-30分钟。