发明名称 一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法
摘要 本发明公开了一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法,属于微加工技术领域。该方法首先将硅衬底表面抛光或选择已经单面或双面抛光的硅衬底;在硅衬底表面预制若干个与多孔硅的孔洞宽度相匹配的凹槽,凹槽的排列与所述多孔硅的孔洞分布一致,对上述带有凹槽的硅片进行阳极腐蚀,即可形成孔洞有序排列的多孔硅。采用本发明,多孔硅孔洞将沿着凹槽方向整齐排列,工艺简单、可靠,降低有序多孔硅的制备成本。而且通过预先设计凹槽的方向或排列方式,可有效制备一维或二维孔洞有序排列的多孔硅。
申请公布号 CN101249962B 申请公布日期 2010.11.17
申请号 CN200810101961.6 申请日期 2008.03.14
申请人 北京大学 发明人 邓斯天;傅云义;李琛;王川;廖怀林;黄如;张兴
分类号 C01B33/021(2006.01)I 主分类号 C01B33/021(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 贾晓玲
主权项 一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法,其步骤包括:1)选择单面或双面抛光的硅作为衬底;2)在硅衬底表面制得若干个与多孔硅的孔洞宽度相匹配的凹槽,凹槽的排列与所述多孔硅的孔洞分布一致;所述凹槽的宽度与最后多孔硅孔洞直径相仿,或者略小于孔洞直径;3)对上述带有凹槽的硅片进行阳极腐蚀,形成孔洞有序排列的多孔硅。
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