发明名称 |
一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法,属于微加工技术领域。该方法首先将硅衬底表面抛光或选择已经单面或双面抛光的硅衬底;在硅衬底表面预制若干个与多孔硅的孔洞宽度相匹配的凹槽,凹槽的排列与所述多孔硅的孔洞分布一致,对上述带有凹槽的硅片进行阳极腐蚀,即可形成孔洞有序排列的多孔硅。采用本发明,多孔硅孔洞将沿着凹槽方向整齐排列,工艺简单、可靠,降低有序多孔硅的制备成本。而且通过预先设计凹槽的方向或排列方式,可有效制备一维或二维孔洞有序排列的多孔硅。 |
申请公布号 |
CN101249962B |
申请公布日期 |
2010.11.17 |
申请号 |
CN200810101961.6 |
申请日期 |
2008.03.14 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
邓斯天;傅云义;李琛;王川;廖怀林;黄如;张兴 |
分类号 |
C01B33/021(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/021(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
贾晓玲 |
主权项 |
一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法,其步骤包括:1)选择单面或双面抛光的硅作为衬底;2)在硅衬底表面制得若干个与多孔硅的孔洞宽度相匹配的凹槽,凹槽的排列与所述多孔硅的孔洞分布一致;所述凹槽的宽度与最后多孔硅孔洞直径相仿,或者略小于孔洞直径;3)对上述带有凹槽的硅片进行阳极腐蚀,形成孔洞有序排列的多孔硅。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |