存储装置及信息再记录方法

摘要

本发明提供了一种存储装置和信息再记录方法。该存储装置能够减少多值记录时进行校验所需的循环数。将校验时的开关晶体管的栅极和源极之间的电位差VGS设定为根据多值信息的电阻值等级变化的值。在写入侧执行3值记录的情况下，当“01”是信息时，将初始值VGS01设定为小于与目标电阻值等级“01”对应的VGS＝1.7V，而当“00”为信息时，将值设定为低于与目标电阻值等级“00”对应的VGS＝2.2V而高于上述的VGS01。这可以减少校验过程中所需的循环数。

主权项

一种存储装置，包括多个存储单元，所述存储单元具有：存储元件，其具有一对电极，并通过将电压施加至所述电极来记录多值信息；以及开关元件，其具有第一输入-输出端子、第二输入-输出端子以及控制端子，并且其中所述第一输入-输出端子连接至所述存储元件的一个电极，所述存储装置包括：校验控制装置，用于确定信息是否被正确地记录在存储元件中，并响应于结果执行再记录；以及初始值设定装置，用于当所述多值信息被记录在所述存储元件中时，根据所述多值信息，单独地设定所述开关元件的所述控制端子和所述第二输入-输出端子之间的电位差在校验控制时的初始值。