| 主权项 |
一种蚀刻一铬层的方法，包括：提供一基板于一处理室中，该基板具有一铬层透过一图案化碳硬罩幕而部分暴露出来；提供一含三氯化硼气体及一氧化碳的制程气体进入该处理室中；维持由制程气体所形成的电浆；以及透过该碳硬罩幕蚀刻该铬层。一种蚀刻一铬层的方法，包括：提供一基板于一处理室中，该基板具有一铬层透过一图案化碳硬罩幕而部分暴露出来；提供一含氯气及一氧化碳的制程气体进入该处理室中；维持由制程气体所形成的电浆；以及透过该碳硬罩幕蚀刻该铬层。如申请专利范围第2项所述之方法，其中提供该制程气体的步骤包括：通入约50至约1000 sccm的氯气至该处理室中；以及通入约10至约500 sccm的一氧化碳至该处理室中。如申请专利范围第2项所述之方法，其中提供该制程气体的步骤包括：通入约200至约400 sccm的氯气至该处理室中；以及通入约100至约300 sccm的一氧化碳至该处理室中。如申请专利范围第2项所述之方法，其中维持该电浆的步骤包括：施加一介于约100至约500瓦的电浆源功率。一种蚀刻一铬层的方法，包括：提供一基板在一处理室中，该基板具有一碳硬罩幕，系位于一铬层与一石英层上方；导入一制程气体至该处理室中，该制程气体含有三氯化硼气体与一氧化碳；形成该制程气体之电浆；偏压置于该处理室中的该基材；以及蚀刻透过该图案化硬罩幕所暴露出来的该铬层。一种蚀刻一铬层的方法，包括：提供一基板在一处理室中，该基板具有一碳硬罩幕，系位于一铬层与一石英层上方；导入一制程气体至该处理室中，该制程气体含有氯气与一氧化碳；形成该制程气体之电浆；偏压置于该处理室中的该基材；以及蚀刻透过该图案化硬罩幕所暴露出来的该铬层。如申请专利范围第7项所述之方法，其中导入该制程气体之步骤包括：通入约300 sccm之氯气至该处理室中；通入约150 sccm之一氧化碳至该处理室中；维持室压力约3毫托；施加一约300瓦的电浆源功率；以及供应约8瓦的电浆偏压功率。如申请专利范围第7项所述之方法，其中导入该制程气体之步骤更包括：通入约50至约1000 sccm之氯气至该处理室中；以及通入约10至约500 sccm之一氧化碳至该处理室中。如申请专利范围第7项所述之方法，其中导入该制程气体之步骤更包括：通入约200至约400 sccm之氯气至该处理室中；以及通入约100至约300 sccm之一氧化碳至该处理室中。如申请专利范围第7项所述之方法，其中该偏压步骤更包括：以一低于100瓦的功率偏压该基板。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该偏压步骤更包括：脉冲该偏压功率。一种形成一光罩的方法，包括：于一具有一铬层与一石英层的基板上形成一碳硬罩幕层；图案化该碳硬罩幕层以形成一硬罩幕；导入制程气体至一含有该基板的处理室中，该制程气体包含氯气与一氧化碳；于该处理室中形成该制程气体之电浆；偏压置于该处理室中的基板；蚀刻透过该图案化硬罩幕所暴露出来的该铬层；以及移除该硬罩幕。如申请专利范围第13项所述之方法，其中该硬罩幕于蚀刻该铬层的处理室中原位移除。如申请专利范围第13项所述之方法，其中导入该制程气体之步骤更包括：通入约200至约400 sccm之氯气至该处理室中；以及通入约100至约300 sccm之一氧化碳至该处理室中。如申请专利范围第13项所述之方法，其中该偏压步骤更包括：以低于100瓦的功率偏压该基板。如申请专利范围第13项所述之方法，其中该偏压步骤更包括：脉冲该偏压功率。如申请专利范围第13项所述之方法，其中形成一碳硬罩幕之步骤更包括：沉积一α-碳层。一种形成一光罩的方法，包括：于一具有一铬层与一石英层的基板上形成一碳硬罩幕层；图案化该碳硬罩幕层以形成一硬罩幕；导入制程气体至一含有该基板的处理室中，该制程气体包含三氯化硼气体与一氧化碳；于该处理室中形成该制程气体之电浆；偏压置于该处理室中的基板；蚀刻透过该图案化硬罩幕所暴露出来的该铬层；以及移除该硬罩幕。 |
