| 主权项 |
一种堆叠式晶片封装结构，包括：一背板，具有一线路层；一线路基板，位于该背板之上方，其中该线路基板具有一上表面以及与其相对应之一下表面，且该线路基板对应于该背板处具有一容置孔；一第一晶片，位于该容置孔中，且该第一晶片透过该背板之该线路层而与该线路基板电性连接；一第二晶片，位于该第一晶片之上方，且与该线路基板电性连接；以及一导电薄膜，配置于该第一晶片与该第二晶片之间，且该导电薄膜与该线路基板之一接地端电性连接。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该线路基板包括多数个配置于该下表面上的焊球。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该第一晶片包括一射频晶片。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该第一晶片是透过覆晶接合方式与该背板之该线路层电性连接。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该第二晶片包括一数位积体电路、一数位讯号处理器或是一基频晶片。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该导电薄膜系由导电胶所形成。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，更包括一封装胶体，其中该封装胶体是配置于该线路基板之该上表面上，以覆盖该第二晶片，且填充于该线路基板、该背板与该第一晶片之间。一种堆叠式晶片封装结构，包括：一背板，具有一线路层；一线路基板，位于该背板之上方，其中该线路基板具有一上表面以及与其相对应之一下表面，且该线路基板对应于该背板处具有一容置孔；一第一晶片，位于该容置孔中，且该第一晶片透过该背板之该线路层而与该线路基板电性连接；一第二晶片，位于该第一晶片之上方，且与该线路基板电性连接；以及一中介基板，配置于该第一晶片与该第二晶片之间，且该中介基板与该线路基板之一接地端电性连接，且该中介基板是透过一黏着材料固定于该第一晶片上。如申请专利范围第8项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该线路基板包括多数个配置于该下表面上的焊球。如申请专利范围第8项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该第一晶片包括一射频晶片。如申请专利范围第8项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该第一晶片是透过覆晶接合方式与该背板之该线路层电性连接。如申请专利范围第8项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该背板与该中介基板分别抵靠于该线路基板之该下表面与该上表面。如申请专利范围第8项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该第二晶片包括一数位积体电路、一数位讯号处理器或是一基频晶片。如申请专利范围第8项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该第二晶片是透过打线接合方式与该线路基板电性连接。如申请专利范围第8项所述之堆叠式晶片封装结构，更包括一封装胶体，其中该封装胶体是配置于该线路基板之该上表面上，以覆盖该第二晶片，且填充于该线路基板、该背板与该第一晶片之间。如申请专利范围第8项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该中介基板与该线路基板之间具有一距离，且该中介基板是透过覆晶接合方式或是打线接合方式与该线路基板之该接地端电性连接。如申请专利范围第8项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该第二晶片是透过一黏着材料固定于该中介基板上。 |
