发明名称 场发射显示器及其阴极板的制造方法
摘要
申请公布号 TWI333228 申请公布日期 2010.11.11
申请号 TW095101419 申请日期 2006.01.13
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 江良佑;张悠扬;詹立雄
分类号 H01J9/02 主分类号 H01J9/02
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种场发射显示器之阴极板的制造方法,包括:提供一基板;于该基板的一表面上形成一图案化电极层;在该图案化电极层上形成多数个发射端子,该发射端子可吸收一光源;在该基板上方覆盖一介电层;在该介电层上覆盖一图案化闸极层;以该发射端子为罩幕,进行一背面曝光制程,由该基板的另一表面照射该光源,以使得未被该发射端子遮蔽的该介电层产生反应;以及去除覆盖在该发射端子上且未被该光源照射的该介电层及部分该图案化闸极层,以使该图案化闸极层再图案化并同时形成裸露出该发射端子的一闸极孔及一介层孔。如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之阴极板的制造方法,其中该发射端子是由具吸收UV光源之场发射材料及添加物所构成,或是由场发射材料及具吸收UV光源之添加物所构成。如申请专利范围第2项所述之场发射显示器之阴极板的制造方法,其中该介电层中含有负型感光材料。一种场发射显示器之阴极板的制造方法,包括:提供一基板;于该基板的一表面上形成一图案化遮蔽层;在该遮蔽层及其周围的该基板上形成一图案化电极层;在该图案化电极层上形成多数个发射端子;在该基板上方覆盖一介电层;在该介电层上覆盖一图案化闸极层;以该图案化遮蔽层为罩幕,进行一背面曝光制程,藉由该基板的另一表面照射一光源,以使得未被该图案化遮蔽层遮蔽的该介电层产生反应;以及去除覆盖该图案化遮蔽层上且未被该光源照射的该介电层及部分该图案化闸极层,以使该图案化闸极层再图案化并同时形成裸露出该该发射端子的一闸极孔及一介层孔。如申请专利范围第4项所述之场发射显示器之阴极板的制造方法,其中该遮蔽层之材质包括铬、铝、银或镍。如申请专利范围第4项所述之场发射显示器之阴极板的制造方法,其中该发射端子之材质包括奈米碳管、石墨奈米碳纤、奈米碳球、类钻、钼、矽氮化物或氧化锌。如申请专利范围第4项所述之场发射显示器之阴极板的制造方法,其中该介电层中含有负型感光材料。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号
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