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一种时间分解测定装置，用以取得试料之激发所产生量子线的位置资讯及时间资讯，该时间分解测定装置包括：信号产生器，于该试料之激发的同时产生基准时间脉波；侦测装置，侦测该量子线、并产生对应侦测位置之位置信号以及与侦测时间同时的侦测时间脉波；位置演算器，使用该位置信号算出该侦测位置；时间差测定器，计测该基准时间脉波以及该侦测时间脉波的时间差；以及资料处理装置，将该位置演算器所算出的该侦测位置以及该时间差测定器所计测的该时间差以互相对应的方式进行记忆；其中；该侦测装置具有位置侦测型电子倍增管；该电子倍增管具有：入射窗，用以穿过该量子线；第一及第二微通道片(micro channelplate)，在对应于该量子线朝向该入射窗之入射位置的位置上产生电子，并于维持该位置的同时倍增该电子；阳极；以及脉波读取电路，回应该第一微通道片所倍增之电子从该第一微通道片放出时之电位变化以取得脉波信号；该第一微通道片具有与该入射窗相离并相对的输入面、以及与该第二微通道片相离并相对的输出面；该第二微通道片具有与该第一微通道片之输出面相离并相对的输入面、以及与于该阳极相离并相对的输出面；该侦测时间脉波系回应该第一微通道片所倍增之电子从该第一微通道片放出时之电位变化而产生、并被送至该时间差测定器；以及该脉波读取电路系仅连接于该第一微通道片之输出面。如申请专利范围第1项之时间分解测定装置，其中又具有：第一堆叠，具有该第一微通道片、以及与该第一微通道片之输入面重合之一片以上的微通道片；以及第二堆叠，具有该第二微通道片、以及与该第二微通道片之输入面重合且与该第一微通道片相离并相对之一片以上的微通道片。如申请专利范围第2项之时间分解测定装置，其中该第一堆叠系于该入射窗与该第一堆叠之间并未夹设有其他微通道片的方式朝向该入射窗。如申请专利范围第2项之时间分解测定装置，其中该第一堆叠具有高于该第二堆叠的电子倍增率。如申请专利范围第1至4项中任一项之时间分解测定装置，其中该位置侦测型电子倍增管系具有设于该入射窗与该第一微通道片之输入面之间、可根据光电效果将该量子线转变为光电子的光电阴极，该第一微通道片系与该光电阴极相对设置、并从该光电阴极接收该光电子以产生并倍增二次电子。如申请专利范围第1项之位置侦测型电子倍增管，其中该脉波读取电路具有电容或变压器，该电容或变压器系连接于该第一微通道片之输出面。一种位置侦测型电子倍增管，包括：入射窗，用以穿过量子线；第一及第二微通道片，在对应于该量子线朝向该入射窗之入射位置的位置上产生电子、并于维持该位置的同时倍增该电子；阳极，与该第二微通道片相对设置；以及脉波读取电路，回应该第一微通道片所倍增之电子从该第一微通道片放出时之电位变化以取得脉波信号；其中，该第一微通道片具有与该入射窗相离并相对的输入面、以及与该第二微通道片相离并相对的输出面；该第二微通道片具有与该第一微通道片之输出面相离并相对的输入面、以及与该阳极相离并相对的输出面；以及该脉波读取电路系仅连接于该第一微通道片之输出面。如申请专利范围第7项之位置侦测型电子倍增管，其中又具有：第一堆叠，具有该第一微通道片、以及与该第一微通道片之输入面重合之一片以上的微通道片；以及第二堆叠，具有该第二微通道片、以及与该第二微通道片之输入面重合且与该第一微通道片相离并相对之一片以上的微通道片。如申请专利范围第8项之位置侦测型电子倍增管，其中该第一堆叠系于该入射窗与该第一堆叠之间并未夹设有其他微通道片的方式朝向该入射窗。如申请专利范围第8项之位置侦测型电子倍增管，其中该第一堆叠具有高于该第二堆叠的电子倍增率。如申请专利范围第7至10项中任一项之位置侦测型电子倍增管，其中又具有设于该入射窗与该第一微通道片之输入面之间、可根据光电效果将该量子线转变为光电子的光电阴极，该第一微通道片系与该光电阴极相对设置、并从该光电阴极接收该光电子以产生并倍增二次电子。如申请专利范围第7项之位置侦测型电子倍增管，其中该脉波读取电路具有电容或变压器，该电容或变压器系连接于该第一微通道片之输出面。 |
