| 发明名称 | 带有绝缘埋层的衬底的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底表面具有第一晶体层；在第一晶体层表面生长第二晶体层；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有绝缘层；以第二晶体层远离第一衬底的表面和绝缘层远离第二衬底的表面作为键合表面进行键合；除去第一衬底和第一晶体层。本发明的优点在于，采用表面生长的方法形成绝缘埋层以及表面的晶体层，因此可以在较大的范围内调整绝缘埋层以及绝缘埋层表面的晶体层的厚度，且晶体层的表面是借由用于生长该晶体层的表面转变而形成的，因此具有良好的平整度。 | ||
| 申请公布号 | CN101355024B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200810038335.7 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张苗;张波 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底表面具有第一晶体层；在第一晶体层表面生长第二晶体层；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有绝缘层；以第二晶体层远离第一衬底的表面和绝缘层远离第二衬底的表面作为键合表面进行键合；采用第一选择性腐蚀方法对第一衬底进行腐蚀，至第一晶体层，所述第一选择性腐蚀方法对第一衬底的腐蚀速度大于对第一晶体层腐蚀速度的十倍；采用第二选择性腐蚀方法对第一晶体层进行腐蚀，至第二晶体层，所述第二选择性腐蚀方法对第一晶体层的腐蚀速度大于对第二晶体层腐蚀速度的十倍。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||