发明名称 | 一种纳米铁薄膜制备方法 | ||
摘要 | 一种纳米铁薄膜制备方法,属于金属薄膜制备技术领域。以一种含有锌和铁元素的层状双羟基复合金属氧化物为前驱体,在单晶硅基片表面进行组装,经过氢气还原并选择性的蒸发掉其中的锌,从而得到单质铁薄膜。本发明的优点在于,不需要复杂的设备,操作简单,原料易得,成本低廉,对环境无污染,制得的薄膜由XRD数据可知构成薄膜的粒子尺寸在纳米级。 | ||
申请公布号 | CN101550547B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
申请号 | CN200910081570.7 | 申请日期 | 2009.04.14 |
申请人 | 北京化工大学 | 发明人 | 王连英;贾国梁;章定恒;何静 |
分类号 | C23C20/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C20/04(2006.01)I |
代理机构 | 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 | 代理人 | 刘月娥 |
主权项 | 一种纳米铁薄膜制备方法,其特征在于,制备步骤如下:A.将ZnCl2和FeCl2按照摩尔比1~4∶1配制成ZnCl2和FeCl2的总浓度0.6~1.2mol/L的混合盐溶液;另配制1~1.4mol/L的氢氧化钠溶液;B.将步骤A配制所得混合盐溶液与氢氧化钠溶液采用双滴法发生共沉淀,并保持体系pH为7~8;C.将步骤B所得共沉淀产物在40~60℃下水浴晶化2~24h;D.将步骤C所得晶化产物用除去CO2的去离子水离心洗涤2~4次;E.将步骤D离心洗涤所得浆液超声分散于除去CO2的去离子水中,并将单晶硅片置于其中,蒸发溶剂,得到层状双羟基复合金属氧化物薄膜;F.将步骤E制备得到的薄膜于H2/N2混合气氛中以2~10℃/min的速率从室温升至900~1000℃之后,恒温1~4h进行焙烧还原,之后以0.5~1.5℃/min的速率降温至室温,得到连续的纳米铁薄膜。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北三环东路15号 |