发明名称 |
一种还原SiCl4制SiHCl3的磁旋转氢气电弧反应器 |
摘要 |
鉴于目前国内多晶硅企业使用的热氢还原法还原SiCl4制SiHCl3存在能耗高、SiCl4转化率低及SiHCl3生成率低以及气相白炭黑法处理SiCl4生成的白炭黑经济附加值低,本发明提供了一种能耗低、SiCl4转化率高、SiHCl3生成率高的方法,使气态SiCl4与氢气的混合物在磁旋转的两电极之间发生电弧放电,在氢气等离子体的气氛下还原SiCl4制SiHCl3,通过电弧放电的方式将电能直接转化成热能,提高了电能的利用率,同时氢等离子体的条件大大提高了SiCl4的转化率和SiHCl3生成率,由于SiHCl3是生产多晶硅的主要原料,因此本发明能够实现多晶硅的封闭式生产,达到环保高效的目标。 |
申请公布号 |
CN101875495A |
申请公布日期 |
2010.11.03 |
申请号 |
CN200910050250.5 |
申请日期 |
2009.04.29 |
申请人 |
上海尤仕力等离子体科技有限公司 |
发明人 |
郭文康;须平;张俊亭;郭少峰 |
分类号 |
C01B33/107(2006.01)I;C01B33/03(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
本发明是一种转化SiCl4为SiHCl3的方法,气态的SiCl4与氢气的混合物在磁旋转的电弧反应器内发生电弧放电,在等离子体气氛中SiCl4与氢气充分接触发生还原反应,生成SiHCl3和HCl。SiHCl3被分离用作生产多晶硅的原料,未完全反应的氢气和SiCl4被用于电弧反应器的下一次循环中。 |
地址 |
200433 上海市杨浦区国定路335号1号楼8008 |