发明名称 一种还原SiCl4制SiHCl3的磁旋转氢气电弧反应器
摘要 鉴于目前国内多晶硅企业使用的热氢还原法还原SiCl4制SiHCl3存在能耗高、SiCl4转化率低及SiHCl3生成率低以及气相白炭黑法处理SiCl4生成的白炭黑经济附加值低,本发明提供了一种能耗低、SiCl4转化率高、SiHCl3生成率高的方法,使气态SiCl4与氢气的混合物在磁旋转的两电极之间发生电弧放电,在氢气等离子体的气氛下还原SiCl4制SiHCl3,通过电弧放电的方式将电能直接转化成热能,提高了电能的利用率,同时氢等离子体的条件大大提高了SiCl4的转化率和SiHCl3生成率,由于SiHCl3是生产多晶硅的主要原料,因此本发明能够实现多晶硅的封闭式生产,达到环保高效的目标。
申请公布号 CN101875495A 申请公布日期 2010.11.03
申请号 CN200910050250.5 申请日期 2009.04.29
申请人 上海尤仕力等离子体科技有限公司 发明人 郭文康;须平;张俊亭;郭少峰
分类号 C01B33/107(2006.01)I;C01B33/03(2006.01)I 主分类号 C01B33/107(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 本发明是一种转化SiCl4为SiHCl3的方法,气态的SiCl4与氢气的混合物在磁旋转的电弧反应器内发生电弧放电,在等离子体气氛中SiCl4与氢气充分接触发生还原反应,生成SiHCl3和HCl。SiHCl3被分离用作生产多晶硅的原料,未完全反应的氢气和SiCl4被用于电弧反应器的下一次循环中。
地址 200433 上海市杨浦区国定路335号1号楼8008
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