发明名称 |
低噪声结型场效应晶体管的器件和制造方法 |
摘要 |
提供了一种微电子产品和所述产品的制造方法。源极和漏极沿第一方向相互隔开,并且连接至沟道的相对端以提供设置电压。包围所述沟道的一部分的第一和第二栅极沿第二方向相互隔开,从而允许施加和移除栅极电压。栅极电压的施加排斥沟道内的多数载流子,从而减小在源极和漏极之间传导的电流。 |
申请公布号 |
CN101501827B |
申请公布日期 |
2010.11.03 |
申请号 |
CN200780030273.9 |
申请日期 |
2007.09.13 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
D·施密特 |
分类号 |
H01L21/335(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/335(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛 |
主权项 |
一种微电子产品,包括:主要沿x和y方向延伸的衬底;形成于所述衬底上的沟道;源极和漏极,该源极和该漏极沿y方向相互隔开并且连接到所述沟道的相对侧,从而在所述沟道上提供设置电压;以及第一和第二栅极部分,该第一和第二栅极部分沿x方向相互隔开并且位于所述沟道的相对侧,从而允许在所述栅极部分上施加和移除栅极电压,所述栅极电压的施加沿x方向排斥多数载流子,从而减小在所述源极和所述漏极之间传导的电流。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |