发明名称 低噪声结型场效应晶体管的器件和制造方法
摘要 提供了一种微电子产品和所述产品的制造方法。源极和漏极沿第一方向相互隔开,并且连接至沟道的相对端以提供设置电压。包围所述沟道的一部分的第一和第二栅极沿第二方向相互隔开,从而允许施加和移除栅极电压。栅极电压的施加排斥沟道内的多数载流子,从而减小在源极和漏极之间传导的电流。
申请公布号 CN101501827B 申请公布日期 2010.11.03
申请号 CN200780030273.9 申请日期 2007.09.13
申请人 英特尔公司 发明人 D·施密特
分类号 H01L21/335(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 主分类号 H01L21/335(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 陈松涛
主权项 一种微电子产品,包括:主要沿x和y方向延伸的衬底;形成于所述衬底上的沟道;源极和漏极,该源极和该漏极沿y方向相互隔开并且连接到所述沟道的相对侧,从而在所述沟道上提供设置电压;以及第一和第二栅极部分,该第一和第二栅极部分沿x方向相互隔开并且位于所述沟道的相对侧,从而允许在所述栅极部分上施加和移除栅极电压,所述栅极电压的施加沿x方向排斥多数载流子,从而减小在所述源极和所述漏极之间传导的电流。
地址 美国加利福尼亚
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