| 发明名称 | 一种用于半导体制造工艺中的边缘环机构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于半导体制造工艺中的边缘环机构，包括固定晶片的静电卡盘，静电卡盘的下方设有下电极基座，在所述静电卡盘的周围设置有边缘环，所述边缘环与所述静电卡盘之间设有间隙，在所述下电极基座上开有气体通道，并且在所述边缘环上设有连通所述间隙和所述气体通道的气体流通通道。本发明可以有效地改善晶圆(晶片)背底的颗粒污染问题；并且，可以有效控制工艺进行过程中边缘环的温度；另外，本发明加工简单，方便进行安装和维护。 | ||
| 申请公布号 | CN101552182B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200810103065.3 | 申请日期 | 2008.03.31 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 徐亚伟 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人 | 王昭林;崔华 |
| 主权项 | 一种用于半导体制造工艺中的边缘环机构，包括固定晶片(1)的静电卡盘(41)，静电卡盘(41)的下方设有下电极基座(42)，在所述静电卡盘(4)的周围设置有边缘环(2)，其特征在于：所述边缘环(2)与所述静电卡盘(41)之间设有间隙(24)，在所述下电极基座(42)上开有气体通道(21)，并且在所述边缘环(2)上设有连通所述间隙(24)和所述气体通道(21)的气体流通通道。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 | ||