具有凹陷场板的半导体器件及其制作方法

摘要

一种制作半导体器件的方法包括在半导体器件中形成浅沟槽隔离结构(14)。浅沟槽隔离结构是U或O形，围绕半导体器件层中通过掺杂和/或硅化使其导电而形成的场区(28)。半导体器件可包括延伸漏极区(50)或漂移区和漏极区(42)。绝缘栅极(26)可设置于本体区上。源极区(34，40)可形成为具有深源极区(40)和浅源极区(34)。与本体具有相同导电类型的接触区(60)可与深源极区(40)相邻设置。本体在浅源极区(34)下延伸以接触到接触区(60)。

主权项

一种制作半导体器件的方法，所述半导体器件是具有依次纵向排列的源极、本体、延伸漏极和漏极区的功率FET(4)器件，所述方法包括：提供具有硅器件层(10)的衬底(2)；形成由绝缘体(18)填充的多个沟槽(14)，所述多个沟槽围绕硅器件层中纵向延伸的场区(28)；处理硅器件层的场区(28)使其导电，从而场区(28)形成纵向场板；和通过如下步骤形成与沟槽(14)相邻纵向延伸、且通过填充有绝缘体的沟槽(14)与场区(28)分离的有源器件(4)，其中本体区(46)与源极区(34，4D)相邻，延伸漏极区(50)在本体区(46)和漏极区(42)之间纵向延伸通过场区(28)，并且通过填充有绝缘体(18)的沟槽(14)与场区(28)分离：掺杂贯穿硅器件层厚度的本体形成区(21)，以具有第一导电类型，其中本体形成区(21)至少包括最终完成器件中的本体区(46)；掺杂浅源极区(34)到小于硅器件层(10)厚度的深度，以具有与第一导电类型相反的第二导电类型，从而在部分本体形成区(21)上形成浅源极区(34)；通过重掺杂漏极区(42)使其导电形成漏极区(42)，留下漏极区(42)和本体形成区之间的区域作为延伸漏极区(50)，源极区(34，40)和延伸漏极区(50)之间的本体形成区(21)形成本体区(46)；以及在本体区(46)上形成绝缘栅极(26)；还包括：穿过半导体器件层的整个厚度掺杂接触区(60)，其包括与深源极区(40)横向相邻的体接触区(61)，体接触区(61)与本体形成区(21)接触，并具有第一导电类型，从而形成与本体形成区(21)接触的导电接触区(60)，并因此形成与由晶体管(34)中的本体形成区所形成的本体区(46)的电连接，使浅源极区与绝缘栅极(26)相邻；其中，在形成漏极区(42)的步骤中，贯穿硅器件层(10)的厚度形成与浅源极区(34)接触的深源极区(40)，从而深和浅源极区一起形成源极区(34，40)；以及浅源极区(34)位于深源极区(40)和绝缘栅极(26)之间、在第一主表面处宽度比深源极区(40)大。