半导体装置

摘要

本发明提供一种保持高耐压的半导体装置，该半导体装置廉价且能稳定地保持高耐压。在保护环区域(3)，在第一导电型半导体衬底(5)的主面设置有成为保护环的第二导电型的第二扩散层(3a、3b、3c)。在这些第二扩散层上设置有绝缘膜(8)。在绝缘膜(8)的上面，具有在第一表面电极(11a)、第二表面电极(11c、11d、11e)、第三表面电极(11b)各电极中邻接的电极之间设置有导电膜(12)的结构。由此，在半导体衬底(5)的导电膜(12)下的部分，助长耗尽层的延伸，可提高耐压。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型的半导体衬底；元件区域，其设置于上述半导体衬底的主面上；保护环区域，其设置于上述半导体衬底的主面上，并包围上述元件区域；第二导电型的第一扩散层，其设置于上述元件区域；第一电极，其设置于上述第一扩散层上，并与上述第一扩散层连接；至少1个以上的第二导电型的第二扩散层，其在上述保护环区域与上述第一扩散层分开设置，并包围上述元件区域；绝缘膜，其在上述半导体衬底上覆盖上述第二扩散层的上面，一侧端部与上述第一电极连接；第二电极，其在上述绝缘膜的上面与上述第二扩散层对向设置；导电膜，在上述绝缘膜的上面，设置于上述第一电极及上述第二电极各电极中邻接的电极之间。