存储器装置及制造、操作该装置的方法

摘要

本发明公开了一种存储装置及制造、操作该装置的方法。此处所描述的一种存储器装置包括多个存储单元位于字线与位线之间。该多个存储单元的存储单元包括一二极管以及一金属-氧化物存储元件可编程至多个电阻状态，其包含一第一电阻状态与一第二电阻状态。该二极管与该金属-氧化物存储元件是沿着对应字线与对应位线之间的一电流路径上电性串联安排。此装置还包括偏压电路以施加调整偏压跨越于该多个存储单元中的一个被选取存储单元的该串联安排的该二极管与该存储元件。

主权项

一种存储器装置，其特征在于，包括：多条字线；多条位线；多个存储单元位于该多条字线与位线之间，该多个存储单元的存储单元包括：一二极管；以及一金属-氧化物存储元件可编程至多个电阻状态，其包含一第一电阻状态与一第二电阻状态，该二极管与该金属-氧化物存储元件是沿着一电流路径上电性串联安排，该电流路径介于该多条字线中的一对应字线与该多条位线中的一对应位线之间；以及偏压电路以施加调整偏压跨越于该多个存储单元中的一个被选取存储单元的该串联安排的该二极管与该金属-氧化物存储元件，该调整偏压包含：一第一调整偏压以对该被选取存储单元的该二极管顺向偏压及改变该被选取存储单元的该存储元件的该电阻状态自该第一电阻状态至该第二电阻状态；以及一第二调整偏压以对该被选取存储单元的该二极管顺向偏压及改变该被选取存储单元的该存储元件的该电阻状态自该第二电阻状态至该第一电阻状态。