| 主权项 |
一种于基板上制造薄膜电晶体之方法，包含有：形成一闸极；形成一半导体层，该半导体层与该闸极绝缘，并与该闸极部份重叠；依次形成一第一闸极绝缘层和一第二闸极绝缘层于该闸极与该半导体层之间，该第一闸极绝缘层和该第二闸极绝缘层由不同材料形成，该第一闸极绝缘层和该第二闸极绝缘层至少其一包含一无机/有机混合材料；以及形成一源极和一汲极于该半导体层两侧。如申请专利范围第1项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该无机/有机混合材料包含一矽醇盐和一金属醇盐。如申请专利范围第2项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该金属醇盐之金属粒子包含钛、锆、钇、铝、铪、钙和镁中至少任意其一。如申请专利范围第2项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该金属醇盐包含具有约为7或大于7的介电常数之一材料。如申请专利范围第1项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该第二闸极绝缘层包含一无机绝缘材料。如申请专利范围第5项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该第二闸极绝缘层包含氧化矽或氮化矽。如申请专利范围第5项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该半导体层包含非晶矽。如申请专利范围第1项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该第二闸极绝缘层包含一有机聚合体材料。如申请专利范围第8项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该第二闸极绝缘层包含聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、聚醋酸乙烯酯(polyvinyl acetate)、聚乙烯苯酚(polyvinyl phenol)和聚甲基丙烯酸甲酯(polyvinyl methyl methacrylate)至少任意其一。如申请专利范围第8项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该半导体层由一以五环素为基础或以噻吩为基础的材料形成。如申请专利范围第2项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该无机/有机混合材料具有依照该金属醇盐与该矽醇盐之一含量比率之一介电常数和一透光率。如申请专利范围第1项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中该无机/有机混合材料由印刷、涂覆和沉积方法中至少其一形成。如申请专利范围第1项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中形成该闸极、该半导体层、该源极和该汲极的步骤更包含：形成该闸极于该基板上；形成该闸极绝缘层于包含该闸极之该基板之一整个表面上；形成该半导体层于该闸极上之该闸极绝缘层上；以及形成该源极和该汲极于该半导体层两侧。如申请专利范围第1项所述之于基板上制造薄膜电晶体之方法，其中形成该闸极、该半导体层、该源极和该汲极的步骤更包含：形成该源极和该汲极于该基板上；形成该半导体层于该源极和该汲极之间以与该源极和该汲极重叠；形成该闸极绝缘层于包含该半导体层之该基板之一整个表面上；以及形成该闸极于该半导体层上之该闸极绝缘层上。一种显示装置，包含有：一显示面板；一闸极驱动器和一资料驱动器，位于该显示面板内，该闸极驱动器用于向复数条闸极线加载复数个扫描讯号，该资料驱动器用于向复数条资料线加载复数个视频讯号，该闸极线和该资料线定义复数个画素；以及一薄膜电晶体，位于每个该画素内，包含一闸极、一闸极绝缘层、一半导体层、一源极和一汲极，其中该闸极绝缘层更包含一第一闸极绝缘层和一第二闸极绝缘层，该第二闸极绝缘层包含与该第一闸极绝缘层不同的材料，其中该第一闸极绝缘层和该第二闸极绝缘层至少其一包含一无机/有机混合材料。如申请专利范围第15项所述之显示装置，其中该有机/无机混合材料为一溶胶-凝胶化合物。如申请专利范围第15项所述之显示装置，其中该有机/无机混合材料包含具有一矽醇盐和一金属醇盐。如申请专利范围第17项所述之显示装置，其中该有机/无机混合材料具有依照该金属醇盐与该矽醇盐之一含量比率之一介电常数和一透光率。如申请专利范围第17项所述之显示装置，其中该有机/无机混合材料中该金属醇盐与该矽醇盐含量相同。如申请专利范围第17项所述之显示装置，其中该金属醇盐之金属粒子包含钛、锆、钇、铝、铪、钙和镁中至少任意其一。如申请专利范围第17项所述之显示装置，其中该金属醇盐包含具有约为7或大于7的介电常数之一材料。如申请专利范围第15项所述之显示装置，其中该第一闸极绝缘层和该第二闸极绝缘层其中之一包含一无机绝缘材料。如申请专利范围第22项所述之显示装置，其中该无机绝缘材料为氮化矽或氧化矽。如申请专利范围第15项所述之显示装置，其中该半导体层包含非晶矽。如申请专利范围第24项所述之显示装置，其中该第一闸极绝缘层和该第二闸极绝缘层至少其一包含一无机绝缘材料，该无机绝缘材料与包含非晶矽之该半导体接触。如申请专利范围第15项所述之显示装置，其中该第一闸极绝缘层和该第二闸极绝缘层其中之一包含一有机聚合体材料。如申请专利范围第26项所述之显示装置，其中该有机聚合体材料包含聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、聚醋酸乙烯酯(polyvinyl acetate)、聚乙烯苯酚(polyvinyl phenol)和聚甲基丙烯酸甲酯(polyvinyl methyl methacrylate)至少任意其一。如申请专利范围第15项所述之显示装置，其中该半导体层由一以五环素为基础或以噻吩为基础的材料形成。如申请专利范围第28项所述之显示装置，其中该有机/无机混合材料与包含该以五环素为基础或以噻吩为基础的材料的该半导体层接触。如申请专利范围第15项所述之显示装置，其中该第一闸极绝缘层之厚度为2000，该第二闸极绝缘层之厚度为2000。一种基板上之薄膜电晶体，包含有：一闸极；一半导体层，与该闸极绝缘，且与该闸极部份重叠；一第一闸极绝缘层和一第二闸极绝缘层，位于该闸极与该半导体层之间，其中该第一闸极绝缘层由与该第二闸极绝缘层不同之材料形成，该第一闸极绝缘层和该第二闸极绝缘层至少其一包含一无机/有机混合材料；以及一源极和一汲极，位于该半导体层两侧。如申请专利范围第31项所述之基板上之薄膜电晶体，其中该无机/有机混合材料包含一金属醇盐和一矽醇盐。如申请专利范围第32项所述之基板上之薄膜电晶体，其中该金属醇盐之金属粒子包含钛、锆、钇、铝、铪、钙和镁中至少任意其一。如申请专利范围第32项所述之基板上之薄膜电晶体，其中该金属醇盐包含具有约为7或大于7的介电常数之一材料。如申请专利范围第31项所述之基板上之薄膜电晶体，其中该第二闸极绝缘层包含一无机绝缘材料。如申请专利范围第35项所述之基板上之薄膜电晶体，其中该第二闸极绝缘层包含氧化矽或氮化矽。如申请专利范围第35项所述之基板上之薄膜电晶体，其中该半导体层包含非晶矽。如申请专利范围第31项所述之基板上之薄膜电晶体，其中该第二闸极绝缘层包含一有机聚合体材料。如申请专利范围第38项所述之基板上之薄膜电晶体，其中该第二闸极绝缘层包含聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、聚醋酸乙烯酯(polyvinyl acetate)、聚乙烯苯酚(polyvinyl phenol)和聚甲基丙烯酸甲酯(polyvinyl methyl methacrylate)至少任意其一。如申请专利范围第38项所述之基板上之薄膜电晶体，其中该半导体层由一以五环素为基础或以噻吩为基础的材料形成。如申请专利范围第32项所述之基板上之薄膜电晶体，其中无机/有机混合材料具有依照该金属醇盐与该矽醇盐之一含量比率之一介电常数和一透光率。如申请专利范围第31项所述之基板上之薄膜电晶体，其中该薄膜电晶体为一底部闸极型或顶部闸极型薄膜电晶体。 |
