| 主权项 |
一种半导体制造装置，其特征系具备：加热器元件，其系用以加热晶圆；第1连接部及第2连接部，其系与上述加热器元件一体化，用以对上述加热器元件施加电压；第1电极，其系于第1面与上述第1连接部面接触的状态下利用第1螺栓来固定，用以对上述第1连接部施加电压；及第2电极，其系于面方向和上述第1面相异90度的第2面与上述第2连接部面接触的状态下利用第2螺栓来固定，用以对上述第2连接部施加电压。如申请专利范围第1项之半导体制造装置，其中，上述第1连接部与上述第1电极的固定位置在上述第1面的面内方向具有可动域，上述第2连接部与上述第2电极的固定位置在上述第2面的面内方向具有可动域。如申请专利范围第1项之半导体制造装置，其中，上述加热器元件系用以从背面来加热上述晶圆之面状的加热器元件。如申请专利范围第1项之半导体制造装置，其中，上述加热器元件系用以从外周来加热上述晶圆之环状的加热器元件。如申请专利范围第1项之半导体制造装置，其中，上述加热器元件为使用碳材、SiC材、及对碳材或SiC材施以SiC被覆的材料、以及高熔点金属材料的其中之一。如申请专利范围第1项之半导体制造装置，其中，具备：开口部，其系分别形成于上述第1连接部、上述第2连接部、上述第1电极及上述第2电极；第1螺栓，其系直径比上述第1连接部的开口部小，贯通上述第1连接部的开口部来固定上述第1连接部与上述第1电极；及第2螺栓，其系直径比上述第2连接部的开口部小，贯通上述第2连接部的开口部来固定上述第2连接部与上述第2电极。一种半导体制造装置，其特征系具备：加热器元件，其系用以加热晶圆；第1连接部及第2连接部，其系与上述加热器元件一体化，用以对上述加热器元件施加电压；第1电极，其系于第1面与上述第1连接部接触固定，用以对上述第1连接部施加电压；第2电极，其系于第2面与上述第2连接部接触固定，用以对上述第2连接部施加电压；开口部，其系分别形成于上述第1连接部、上述第2连接部、上述第1电极及上述第2电极；第1螺栓，其系直径比上述第1连接部的开口部小，贯通上述第1连接部的开口部来固定上述第1连接部与上述第1电极；及第2螺栓，其系直径比上述第2连接部的开口部小，贯通上述第2连接部的开口部来固定上述第2连接部与上述第2电极。如申请专利范围第7项之半导体制造装置，其中，上述第1面与上述第2面系实质为同一面。如申请专利范围第7项之半导体制造装置，其中，上述加热器元件系用以由外周来加热上述晶圆之环状的加热器元件。如申请专利范围第7项之半导体制造装置，其中，上述加热器元件为使用碳材、SiC材、及对碳材或SiC材施以SiC被覆的材料、以及高熔点金属材料的其中之一。如申请专利范围第1项之半导体制造装置，其中，具备：第1电极棒，其系用以固定上述第1电极；第2电极棒，其系用以固定上述第2电极；及加热器轴，其系用以保持上述第1电极及上述第2电极，并且，在上述加热器轴上部与上述第1电极棒及上述第2电极棒的各个头部份之间具有间隙。 |
