发明名称 影像显示系统及薄膜记忆元件之制造方法
摘要
申请公布号 TWI332710 申请公布日期 2010.11.01
申请号 TW096106837 申请日期 2007.02.27
申请人 奇美电子股份有限公司 发明人 陈峰毅;李淂裕;刘侑宗
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 刘正格 台北市中正区忠孝西路1段6号18楼
主权项 一种影像显示系统,系具有设置于一绝缘基板上之一薄膜记忆元件,该薄膜记忆元件包含:一反射层,系设置于该绝缘基板上;一绝缘层,系设置于该反射层上;一矽膜层,系设置于该绝缘层上,并具有形成于该矽膜层之表面上之一第一突出部;一电极绝缘层,系设置于该矽膜层上,并具有一第二突出部,该第二突出部系对应该第一突出部而突出于该电极绝缘层之表面;以及一导电层,系设置于该电极绝缘层上。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统,其中该第一突出部系位于该反射层上方中央处,并由该矽膜层结晶之晶粒边界形成。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统,其中该薄膜记忆元件系一电晶体,该导电层系作为该薄膜记忆元件之闸极。如申请专利范围第3项所述之影像显示系统,其中该矽膜层更包含:二掺杂区,分别形成于该矽膜层之两端以作为为该薄膜记忆元件之源极及汲极。如申请专利范围第4项所述之影像显示系统,其中该第一突出部系位于该等掺杂区之间。如申请专利范围第4项所述之影像显示系统,其中之一掺杂区较另一掺杂区靠近该第一突出部。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统,其中该绝缘基板包含:一透明基板;以及一缓冲层,系设置于该透明基板上,其中该反射层系设置于该缓冲层上。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统,其中该电极绝缘层包含:一第一氧化物膜,系设置于该矽膜层上;一氮化物膜,系设置于该第一氧化物膜上;以及一第二氧化物膜,系设置于该氮化物膜上,其中该导电层系设置于该第二氧化物膜上。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统,更包含:一薄膜电晶体,系设置于该绝缘基板上。如申请专利范围第9项所述之影像显示系统,其中该薄膜电晶体系一上部闸极、下部闸极、或双闸极薄膜电晶体。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统,其中该反射层之材质系为金属,该矽膜层之材质系多晶矽。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统,更包含:一矩阵显示面板,系具有该绝缘基板及该薄膜记忆元件。如申请专利范围第12项所述之影像显示系统,其中该矩阵显示面板系一液晶显示面板。如申请专利范围第13项所述之影像显示系统,其中该矩阵显示面板系多象限垂直配向、横向电场驱动、边缘电场驱动、主动矩阵滤光片、穿透式、反射式、或半穿反式的液晶显示面板。如申请专利范围第12项所述之影像显示系统,其中该矩阵显示面板系一有机发光二极体面板。如申请专利范围第12项所述之影像显示系统,更包含:一显示装置,系具有该矩阵显示面板。如申请专利范围第12项所述之影像显示系统,更包含:一电子装置,系具有该矩阵显示面板以及一输入单元,其中该输入单元与该矩阵显示面板耦合,并对该矩阵显示面板提供输入,以使该矩阵显示面板显示影像。如申请专利范围第17项所述之影像显示系统,其中该电子装置为移动式电话、数位照相机、个人数位助理、笔记型电脑、桌上型电脑、电视机、车用显示器、头戴式显示器、印表机萤幕、MP3播放器、掌上型游戏机或可携式DVD机。一种薄膜记忆元件之制造方法,包含:形成一反射层于一绝缘基板上;形成一绝缘层于该反射层上;形成一矽膜层于该绝缘层上;将一雷射光束照射该矽膜层,其中该矽膜层吸收该雷射光束之一部分而被加热熔化并进行再结晶,且该雷射光束之另一部分系穿透该矽膜层,并自该反射层反射至该矽膜层,俾使该矽膜层吸收反射之该雷射光束而延长再结晶之时间,并形成一第一突出部于该矽膜层之表面;形成一电极绝缘层于该矽膜层上,其中该电极绝缘层系具有一第二突出部,该第二突出部系对应该第一突出部而突出于该电极绝缘层之表面;以及形成一导电层于该电极绝缘层上。如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中该第一突出部系位于该反射层上方中央处,并由该矽膜层结晶之晶粒边界形成。如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中该薄膜记忆元件系一电晶体,该导电层系作为该薄膜记忆元件之闸极。如申请专利范围第21项所述之制造方法,更包含:对该矽膜层之二掺杂区进行掺杂,以使该等掺杂区分别作为该薄膜记忆元件之源极及汲极。如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该第一突出部系位于该等掺杂区之间。如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中之一掺杂区较另一掺杂区靠近该第一突出部。如申请专利范围第23项所述之制造方法,更包含:藉由调整该导电层之位置,使得该等掺杂区之其中之一较靠近该第一突出部。如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中形成该电极绝缘层于该矽膜层上之步骤包含:形成一第一氧化物膜于该矽膜层上;形成一氮化物膜于该第一氧化物膜上;以及形成一第二氧化物膜于该氮化物膜上,其中该导电层系形成于该第二氧化物膜上。如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中该雷射光束系为一固态雷射光束。如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中该雷射光束之波长大于400nm。
地址 苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科学路160号