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一种被覆组成物，其包括聚烷基矽氮烷化合物、乙醯氧基矽烷化合物及有机溶剂；其中该聚烷基矽氮烷化合物可于构造中含有下述(2)或是(3)之任一者，或是含有其双方，@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10005.TIF@eIMG!(上述式中，R5~R11为各自独立表示氢原子或是碳数1~3之烷基，R5和R6不皆同时为氢，R9~R11不皆同时为氢)；其中该乙醯氧基矽烷化合物系选自下列所构成之群组：四乙醯氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷、乙基三乙醯氧基矽烷、乙氧基三乙醯氧基矽烷、异丙氧基三乙醯氧基矽烷、正丁氧基三乙醯氧基矽烷、二甲基二乙醯氧基矽烷、二乙基二乙醯氧基矽烷、二异丙基二乙醯氧基矽烷、二正丁基二乙醯氧基矽烷、二甲氧基二乙醯氧基矽烷、二乙氧基乙醯氧基矽烷、二异丙氧基二乙醯氧基矽烷、二正丁氧基二乙醯氧基矽烷；相对于前述聚烷基矽氮烷化合物的重量，该乙醯氧基矽烷化合物的掺合量为使用5重量%以上、40重量%以下；其中该有机溶剂系选自下列所构成之群组：苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、二乙基苯、三甲基苯、三乙基苯之芳香族烃系溶剂；环己烷、环己烯、十氢萘、乙基环己烷、甲基环己烷、对@sIMGCHAR!d10014.TIF@eIMG!烯、薴(柠檬油精)之脂环族烃系溶剂；丙醚、丁醚之醚系溶剂；甲基异丁基酮之酮系溶剂；丙二醇单甲醚醋酸酯之酯系溶剂；其更进一步包括多孔质化剂，该多孔质化剂系如下述通式(A)所示之含矽烷氧基之聚环氧乙烷化合物，HO-(CH2CH2O)m-L-(SiR’2-O)n-SiR’3 (A)(其中，R’为氢、烷基、烷氧基之任意的取代基，一个分子中的R’可为数种混合在一起；还有，R’为可聚合之基，也可以和其他的单体单位彼此聚合；L则为选自单键及伸烷基之连结基；m以及n系表示聚合度的数目)。一种矽石质材料，其特征为其乃藉由将申请专利范围第1项之被覆组成物涂布于基板上，或是充填于框架或是沟中，再进一步煅烧而形成。一种半导体装置，其特征为含有如申请专利范围第2项之矽石质材料作为层间绝缘膜。一种矽石质材料的制造方法，其特征为于350℃以下的温度，加热如申请专利范围第1项之被覆组成物1~60分钟。 |
