| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，其特征在于：对半导体基板或形成于该半导体基板上之构造体进行乾式蚀刻；将液体供给至上述半导体基板；测量供给后之上述液体之电阻率或导电率；于去除附着于上述半导体基板或上述构造体之蚀刻残渣物时，以根据上述液体之电阻率或导电率所决定之特定时间，将去除上述蚀刻残渣物之去除液供给至上述半导体基板。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中供给至上述半导体基板之上述液体，系氧化还原电位为0.5 V以下之液体。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中供给至上述半导体基板之上述液体系纯水。如请求项1之半导体装置之制造方法，其中周期性地或连续性地测量上述液体之电阻率或导电率；供给上述去除液之特定时间系基于上述液体之电阻率之最小值或导电率之最大值。一种半导体装置之制造方法，其特征在于：对半导体基板或形成于该半导体基板上之构造体进行乾式蚀刻；一面使上述半导体基板旋转，一面使喷出液体之喷嘴自该半导体基板之端部向中心扫描并向上述半导体基板供给液体；周期性地或连续性地测量供给后之上述液体之电阻率或导电率；于去除附着于上述半导体基板或上述构造体之蚀刻残渣物时，将上述半导体基板维持于基于上述液体之电阻率或导电率的特定温度，将去除上述蚀刻残渣物之去除液供给至上述半导体基板。如请求项5之半导体装置之制造方法，其中根据供给至上述半导体基板端部之液体的电阻率或导电率及供给至上述半导体基板中心部之液体的电阻率或导电率，分别决定至少上述半导体基板之端部的温度与该半导体基板之中心部的温度；去除上述蚀刻残渣物时，一面将上述半导体基板之端部及该半导体基板之中心部维持于针对其各自所决定的温度，一面将上述去除液供给至上述半导体基板。一种半导体装置之制造方法，其特征在于：对半导体基板或形成于该半导体基板上之构造体进行乾式蚀刻；将液体供给至上述半导体基板；测量供给后之上述液体之电阻率或导电率；根据上述液体之电阻率或导电率，决定使去除上述蚀刻残渣物之去除液滞留于上述半导体基板上之积液时间；根据上述半导体基板表面图案之疏密，决定去除上述蚀刻残渣物之去除液与上述半导体基板之相对温度；于去除附着于上述半导体基板或上述构造体之蚀刻残渣物时，将相对于上述半导体基板相差上述相对温度之上述去除液供给至上述半导体基板，且使上述去除液于上述半导体基板上滞留上述积液时间。如请求项7之半导体装置之制造方法，其中上述半导体基板表面图案之密度或上述构造体表面图案之密度越低、上述液体之电阻率或导电率越高之情形时，将上述半导体基板之温度设定成低于上述去除液之温度；上述半导体基板表面图案之密度或上述构造体表面图案之密度越低、上述液体之电阻率或导电率越低之情形时，将上述半导体基板之温度设定成高于上述去除液之温度。一种半导体装置之制造方法，其包括：对半导体基板或形成于该半导体基板上之构造体进行乾式蚀刻；将氧化还原电位为0.5V以下之液体供给至附着有蚀刻残渣物之上述半导体基板；藉由将去除上述蚀刻残渣物之去除液供给至上述半导体基板，去除附着于上述半导体基板或上述构造体之蚀刻残渣物。如请求项9之半导体装置之制造方法，其中上述液体包含盐酸、氯酸、次氯酸、亚氯酸、过氯酸、氢氟酸、氢氰酸、碳酸、亚碳酸、硫酸、亚硫酸、硝酸、亚硝酸、磷酸、甲酸、草酸、醋酸、柠檬酸、顺丁烯二酸、丙二酸、油酸、酒石酸或乙醛酸中至少1种酸。如请求项9之半导体装置之制造方法，其中上述液体系纯水或系溶有HCl气体、HF气体、CO气体、CO2气体、NO气体、NO2气体、SO2气体或SO3气体中至少1种气体之水。一种洗净装置，其特征在于包括：平台，其可搭载附着有蚀刻残渣物之半导体基板且使该半导体基板旋转，并可控制上述半导体基板之温度；第1喷嘴，其将液体喷出至上述半导体基板之表面；测定部，其测定喷出至上述半导体基板后之液体之电阻率或导电率；运算部，其根据上述液体之电阻率或导电率，决定将上述去除液供给至上述半导体基板之时间；及第2喷嘴，其依上述运算部所决定之时间，喷出去除附着于上述半导体基板之蚀刻残渣物之去除液。如请求项12之洗净装置，其中自上述第1喷嘴喷出之液体系氧化还原电位为0.5 V以下之液体。如请求项12之洗净装置，其中自上述第1喷嘴喷出之液体系纯水。如请求项12之洗净装置，其中上述运算部根据上述液体之电阻率最大值或上述液体之导电率最大值，决定将上述去除液供给至上述半导体基板之时间。如请求项12之洗净装置，其中进而包括循环槽，其将供给至上述半导体基板之上述去除液回收，并使该去除液循环至上述第2喷嘴。 |
