半导体激光器管芯烧结装置及其使用方法

摘要

半导体激光器管芯烧结装置及其使用方法属于半导体光电子学技术领域，烧结装置包括底支座、前挡板、热沉、压簧柱、弹簧、拨扳、压针、支柱、翘压杆、弹性支柱和滑足；烧结方法的加热和降温过程在真空室内和氮气保护下完成，首先将翘压杆移动到远离前挡板的空位处，在显微镜观察下移动翘压杆，压针准确压在芯片上，再将装置放在真空室加热170℃～200℃停止，三分钟后装置温度降到30℃～70℃，即完成管芯的烧结。本发明的有益效果是：采用滑足定位烧结，简化了管芯烧结的准确定位；压针给芯片的力有效降低了管芯的串联电阻和热阻，解决了因融化时管芯移位造成的发光效率低的问题；工艺简单实用，制作成本低，生产效率高。

主权项

半导体激光器管芯烧结装置，其特征在于，该装置包括底支座(1)、前挡板(2)、热沉(3)、压簧柱(4)、第一弹簧(5)、拨扳(6)、压针(7)、支柱(8)、翘压杆(9)、弹性支柱(10)和滑足(11)，底支座(1)与前挡板(2)通过螺丝固定连接，热沉(3)与压簧柱(4)接触式连接，弹簧(5)与拨扳(6)弹性积压连接，压针(7)与翘压杆(9)通过螺丝固定连接，支柱(8)与翘压杆(9)通过屑子固定连接，翘压杆(9)与弹性支柱(10)螺纹连接，弹性支柱(10)与滑足(11)通过第二弹簧接触连接，底支座(1)与弹性支柱(10)滑动接触，支柱(8)与底支座(1)转动连接，拨扳(6)与底支座(1)的槽滑动连接。