| 发明名称 |
一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途 |
| 摘要 |
本发明涉及半导体金属氧化物催化剂制备方法和用途。该催化剂采用层层自组装法，以多金属氧酸盐阴离子XW12O40n-(X＝B，Si，P，Ge)为无机阴离子，硫堇为有机阳离子，在半导体金属氧化物自组装上XW12-TH复合薄膜。该催化剂能够利用太阳光，对甲基橙和罗单明B染料分子等具有很好的光催化性能，在环保和节能方面具有潜在应用前景。 |
| 申请公布号 |
CN101869848A |
申请公布日期 |
2010.10.27 |
| 申请号 |
CN200910111553.3 |
申请日期 |
2009.04.24 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
高水英;曹荣 |
| 分类号 |
B01J31/16(2006.01)I;B01J31/18(2006.01)I;B01J31/02(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;B01J23/30(2006.01)I;B01J37/00(2006.01)I;A62D3/17(2007.01)I;A62D101/28(2007.01)N;A62D101/26(2007.01)N;A62D101/20(2007.01)N |
主分类号 |
B01J31/16(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种半导体金属氧化物催化剂，包括半导体金属氧化物和薄膜，其特征在于：其薄膜包含杂多酸阴离子XW12O40n-(X＝B或Si或P或Ge)和硫堇复合薄膜。 |
| 地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
