| 发明名称 | NMOS一次可编程器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种NMOS一次可编程器件，包括一耦合电容和一NMOS晶体管，耦合电容一端的同NMOS晶体管浮栅的多晶硅层相连，NMOS晶体管的沟道表面有一耗尽层，耗尽层之上为栅介质层，栅介质层之上为浮栅多晶硅层。本发明的NMOS一次可编程器件，可实现用零伏电压读取数据，即可省去读取数据时NMOS晶体管栅极所需要的外围电压转换电路。本发明还公开了该NMOS一次可编程器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101872765A | 申请公布日期 | 2010.10.27 |
| 申请号 | CN200910057113.4 | 申请日期 | 2009.04.23 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐向明;胡晓明;黄景丰;蔡明祥 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王江富 |
| 主权项 | 一种NMOS一次可编程器件，包括一耦合电容和一NMOS晶体管，耦合电容的一端同NMOS晶体管浮栅多晶硅层相连，其特征在于，NMOS晶体管的沟道表面有一耗尽层，耗尽层之上为栅介质层，栅介质层之上为浮栅多晶硅层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||